[实用新型]一种阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括由交叉设置的栅线和数据线划分出的多个像素单元，

所述像素单元包括第一子像素电极和第二子像素电极，所述第一子像素电极与第一TFT的漏极相连，所述第二子像素电极与第二TFT的漏极相连；

其中，所述第一TFT的源极与其相连的数据线之间的电阻，大于所述第二TFT的源极与其相连的数据线之间的电阻；和/或,所述第一TFT的漏极与所述第一子像素电极之间的电阻，大于所述第二TFT的漏极与所述第二子像素电极之间的电阻。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一TFT的源极与其相连的数据线之间通过折线状的源极线相连，所述第二TFT的源极与其相连的数据线之间通过直线状的源极线相连；和/或，

所述第一TFT的漏极与所述第一子像素电极之间通过折线状的漏极线相连，所述第二TFT的漏极与所述第二子像素电极之间通过直线状的漏极线相连。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，

与所述第一TFT的源极相连的源极线上设有第一分压电阻，和/或，

与所述第一TFT的漏极相连的漏极线上设有第二分压电阻。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述源极线包括间隔设置的第一源极段，所述第一分压电阻包括与所述第一源极段异层设置的第二源极段；其中，

所述第二源极段通过过孔与所述间隔设置的第一源极段连接；所述第二TFT的源极与所述第一源极段同层设置，或与所述第二源极段同层设置。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一TFT的第二源极段与所述第一子像素电极和/或所述第二子像素电极同层设置。

6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述源极线包括第一源极段和第二源极段，所述第一分压电阻包括二极管组对，其中，

所述二极管组对的一端与所述第一源极段连接，所述二极管组对 的另一端与所述第二源极段连接；所述二极管组对包括并联的正向二极管和反向二极管。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述正向二极管和所述反向二极管，是由两个薄膜晶体管分别短接形成的，其中，

所述正向二极管包括：第一短接源极、第一短接漏极和第一栅极区，其中，所述第一短接源极与所述第一源极段相连，所述第一短接漏极与所述第二源极段相连，所述第一栅极区通过过孔与所述第一短接源极短接；

所述反向二极管包括：第二短接源极、第二短接漏极和第二栅极区，其中，所述第二短接源极与所述第一源极段相连，所述第二短接漏极与所述第二源极段相连，所述第二栅极区通过过孔与所述第二短接漏极短接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极区、所述第二栅极区均与所述第一TFT的栅极、所述第二TFT的栅极同层设置。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，

在所述第一栅极区和所述第一短接源极之上分别形成过孔，且两过孔之上覆盖透明导电层连接；

在所述第二栅极区和所述第二短接漏极之上分别形成过孔，且两过孔之上覆盖透明导电层连接。

10.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线上设置有不穿透的凹槽，所述凹槽的开口朝向所述第一子像素电极或所述第二子像素电极，所述第一TFT的源极线经过所述凹槽的底部与所述第一TFT的栅极交叠。

11.根据权利要求1-2或权利要求4-10中任一项所述的阵列基板，其特征在于，在同一所述像素单元中，所述第一TFT的源极与所述第二TFT的源极连接同一条数据线；所述第一TFT的栅极与所述第二TFT的栅极连接同一条栅线。

12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-11中任一项所述的阵列基板。