[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201520348058.5 | 申请日: | 2015-05-26 |
公开(公告)号: | CN204595398U | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | 李文波;李盼 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括多条数据线,多条栅线,以及多个由纵横交叉的所述栅线和所述数据线定义的子像素单元;其特征在于,所述子像素单元包括位于所述栅线两侧的第一像素电极和第二像素电极,以及位于所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的公共电极,所述公共电极的一侧连接有补偿电极,所述补偿电极在所述第一像素电极所在的平面上的投影至少有一部分落入所述第一像素电极内,和/或所述第一像素电极的一侧连接有补偿电极,所述补偿电极在所述公共电极所在的平面上的投影至少有一部分落入所述公共电极内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述子像素单元还包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述栅线可作为所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的栅极,所述数据线可作为所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的源极,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一像素电极电连接,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二像素电极电连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极,所述第一公共电极位于所述第一像素电极与所述栅线之间,所述第二公共电极位于所述第二像素电极与所述栅线之间。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述子像素单元包括所述第一像素电极和所述第二像素电极共用的公共薄膜晶体管,所述栅线可作为所述公共薄膜晶体管的栅极,所述数据线可作为所述公共薄膜晶体管的源极,所述公共薄膜晶体管的漏极与所述第一像素电极电连接,且与所述第二像素电极电连接。
5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二像素电极覆盖所述第二薄膜晶体管的整个漏极或部分漏极。
6.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二薄膜晶体管的漏极包括至少部分投影落入所述第二像素电极内的漏极本部,以及与所述漏极本部相连且投影落在所述第二像素电极外的折弯部,所述第二薄膜晶体管的沟道形成于所述折弯部与所述第二薄膜晶体管的源极之间。
7.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一像素电极通过第一过孔电连接,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二像素电极通过第二过孔电连接。
8.根据权利要求1-7中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一像素电极与所述第二像素电极均为氧化铟锡电极或氧化铟锌电极。
9.一种显示装置,其特征在于,包括上述权利要求1-8中任意一项所述的阵列基板。
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