[实用新型]一种阵列基板、液晶面板及液晶显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、液晶面板及液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置具有功耗低、无辐射等特点，现已占据了平面显示领域的主导地位。

现有的液晶显示装置中的液晶面板通常包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及填充在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，其中，阵列基板上设有呈阵列状排列的多个像素单元，像素单元中设有像素电极，对应该像素电极，在彩膜基板上设有公共电极，通过像素电极和公共电极之间形成的电场，控制像素单元对应的液晶区域内的液晶分子的偏转角度，进而实现液晶显示功能。

然而，在现有的阵列基板中，每个像素单元通常仅包括一个像素电极，在该像素电极和公共电极形成的电场的作用下，单个像素单元对应的液晶区域内的液晶分子均具有相同的偏转角度，导致现有技术中液晶显示装置的视角较小。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种阵列基板及显示装置，用于增大液晶显示装置的视角。

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一方面，本实用新型提供了一种阵列基板，包括呈阵列状排列的多个像素单元，至少一个所述像素单元包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极连接有第一薄膜晶体管，所述第二像素电极连接有第二薄膜晶体管；其中，

所述第一薄膜晶体管中的源极和漏极之间设有沟道，所述第一像素电极在所述沟道所在平面上的投影覆盖至少部分所述沟道，所述第一像素电极以及所述第一薄膜晶体管中的源极和漏极构成顶栅薄膜晶体管。

在本实用新型提供的阵列基板中，多个像素单元中至少有一个像素单元包括由第一薄膜晶体管驱动的第一像素电极以及由第二薄膜晶体管驱动的第二像素电极，其中，第一薄膜晶体管中的源极和漏极之间设有沟道，第一像素电极在沟道平面上的投影覆盖至少部分该沟道，第一像素电极以及第一薄膜晶体管中的源极和漏极共同构成顶栅薄膜晶体管，在顶栅薄膜晶体管中，以第一像素电极作为栅极，以第一薄膜晶体管的漏极作为源极，以第一薄膜晶体管的源极作为漏极；并且，第一像素电极与顶栅薄膜晶体管的源极(即第一薄膜晶体管的漏极)电连接。当第一像素电极放电时，顶栅薄膜晶体管的栅极(即第一像素电极)内产生载流子迁移，使得顶栅薄膜晶体管中的源极和漏极之间的沟道导通，即顶栅薄膜晶体管处于开态，从而第一像素电极能够通过顶栅薄膜晶体管释放部分电压。因此，当第一像素电极和第二像素电极放电时，在同一像素单元中，第一像素电极的电压低于第二像素电极的电压，从而第一像素电极对应的液晶区域内的液晶分子的偏转角度小于第二像素电极对应的液晶区域内的液晶分子的偏转角度，即同一像素单元对应的液晶区域内的液晶分子具有不同的偏转角度；因此，与现有技术中同一像素单元对应的液晶区域内的液晶分子的偏转角度相同相比，本实用新型提供的阵列基板中，同一像素单元对应的液晶区域内的液晶分子至少具有两种偏转角度，从而明显提高了液晶显示装置的视角。

第二方面，本实用新型还提供了一种液晶面板，所述液晶面板包括上述技术方案所提供的阵列基板。

相对于现有技术，本实用新型提供的液晶面板具有的优势与上述阵列基板相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。

第三方面，本实用新型还提供了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括上述技术方案所提供的液晶面板。

相对于现有技术，本实用新型提供的液晶显示装置具有的优势与上述液晶面板相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型实施例的阵列基板中像素单元的结构示意图；

图2为本实用新型实施例的阵列基板中另一种像素单元的结构示意图。

附图标记：

1-液晶面板，2-背光源，

21-凹部，100-第一像素电极，

110-第一薄膜晶体管，111-第一薄膜晶体管的源极，

112-第一薄膜晶体管的漏极，113-第一过孔，

200-第二像素电极，210-第二薄膜晶体管，

211-第二薄膜晶体管的源极，212-第二薄膜晶体管的漏极，

213-第二过孔，300-公共电极，

310-屏蔽电极。