[实用新型]MWT太阳能电池的正面电极结构有效
申请号: | 201520347895.6 | 申请日: | 2015-05-26 |
公开(公告)号: | CN204760393U | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 李硕;侯波;李肃成 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mwt 太阳能电池 正面 电极 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能应用技术领域,尤其涉及一种MWT太阳能电池的正面电极结构。
背景技术
作为传统化石能源的替代,清洁、安全、普遍和取之不竭的太阳能拥有巨大的发展潜力。太阳能电池是基于pn结光生伏特效应将光能转化为电能的半导体器件,其正面和背面都印刷有金属电极。发电时,将太阳能电池的正面置于光照下,照射到半导体的光子被捕获产生电子,在外置偏压的作用下,电子被正面电极收集,并输送到终端电路,实现太阳能发电。但在实际应用中,一方面电子在收集和输送过程中均有电阻损耗;另一方面正面电极的分布遮挡部分光照,从而造成电流损失。
传统太阳能电池片在组件封装时采用正面电极接触,一般手动将汇流带(镀锡的铜带)从位于一块电池正面的发射区电极焊接到位于另一块电池背面的基区电极。为保证焊接的空间,其电极的主栅线一般比较粗,从而导致主栅遮光率比较大。另外,在太阳能电池正面的焊接操作容易导致电池产生隐裂和碎片,焊料的残渣也会溅射到电池片上遮挡部分光照,降低太阳能电池片的转化效率。为消除正面焊接的不良影响和提高电池连接方式的自动化,研究人员提出了目前广泛使用的背接触结构太阳能电池。背接触太阳能电池是指电池的发射区电极和基区电极均位于电池背面的一种硅太阳能电池,其特点是取消了太阳能电池正面为了焊接使用的主栅线,只保留副栅线收集电流并通过技术手段输送到电池背面,正负电极的焊接都在背面进行,减少正面的遮光损失,提高转化率。
金属穿孔卷绕(MetallizationWrapThrough,MWT)太阳能电池是背接触结构电池中的一种,它通过激光穿孔和灌空印刷技术将正面发射极的接触电极穿过硅片基体引导到硅片背面,相比于传统太阳能电池正面电极7%-8%的遮光率,MWT太阳能电池直接减少主栅的遮光面积和银浆耗量,在降低生产成本的同时提高了太阳能的光电转化效率。
为了尽可能的收集太阳能电池表面溢出的电流,受光面的正面电极要求尽可能细而密的分布在电池表面,但过细的栅线导致电阻增大,运输电流时损耗大,过密的栅线会消耗大量的浆料且遮光大,电池成本增加而转化效率反而降低。因此,一个优越的电极图案是电流损失,遮光损失和浆料消耗量的最佳匹配。即,在可接受的浆料成本下,通过栅线的粗细疏密结构调节电流损耗和遮光损耗,最终实现电池转化效率的提升。对电池组阵列来说,电极上微小的优化也会积少成多带来可观的效益。
实用新型内容
本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本实用新型的目的在于提出一种优化的MWT太阳能电池的正面电极结构,以提高电极对电流的收集效率,提高太阳能电池的转化效率,并降低印刷成本。
根据本实用新型实施例的MWT太阳能电池的正面电极结构,包括至少2个重复单元,每个重复单元包括:位于重复单元中心的贯穿孔电极;12条主栅线,12条主栅线以贯穿孔电极为中心呈放射状均匀分布;以及分布在每条主栅线两侧的多对副栅线,每对副栅线与相应的主栅线交于同一点以构成一个箭头结构。其中,各条副栅线与对应的主栅线的夹角等于相邻的两条所述主栅线的夹角的一半,任何两条平行且相邻的副栅线之间的间距均相等,每条主栅线终止于位于该条主栅线最外侧的一对副栅线的交点处。
根据本实用新型实施例的MWT太阳能电池的正面电极结构,具有以下优点:
(1)通过在电池片表面设置12栅线结构,相对于传统的8栅线结构更细密,更好的优化匹配电流损耗和遮光损耗,在降低银浆消耗的同时提高太阳能电池的转化效率;
(2)该结构可确保在丝网印刷过程中,每条副栅线与其对应的主栅线的夹角与丝网印刷的张网角度不一致,从而避免构成会导致线电阻增大的“波浪状”栅线;
(3)放射状的主栅线终止于其最外侧的一对副栅线的交点处的设计,可以降低栅线的遮光率,从而提高太阳能电池的转化效率;
(4)银浆的消耗相对传统的MWT太阳能电池的正面电极结构小,节约印刷成本。
另外,根据本实用新型上述实施例的MWT太阳能电池的正面电极结构还可以具有如下附加的技术特征:
在本实用新型实施例中,当每个重复单元的尺寸为38.5mm×38.5mm时,每条主栅线两侧分布有3对或4对副栅线。由于副栅线过疏不利于电流的收集,副栅线过密会遮挡部分阳光,不利于电流的产生,故在本实用新型实施例中,每条主栅线配置3对或4对箭头结构的副栅线,从而实现电流损耗和遮光损耗的优化匹配。副栅线的数量还受副栅线的宽度制约,副栅线的宽度越细,副栅线的数量可以相应地增多。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的