[实用新型]晶振式双变码发射器有效
申请号: | 201520333582.5 | 申请日: | 2015-05-22 |
公开(公告)号: | CN204652358U | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 郑敏芝;蒋丹 | 申请(专利权)人: | 重庆尊来科技有限责任公司 |
主分类号: | H04B1/04 | 分类号: | H04B1/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 401424 重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶振式双变码 发射器 | ||
1.晶振式双变码发射器,其特征是:由电源,启动电路,射频电路,选频网络与双N管所形成的振荡电路,转换电路,编码集成电路共同组成;
其中:电源由电池与控制开关组成,电池的正极连接控制开关的一端,控制开关的另一端成为晶振式双变码发射器的电源;
启动单元的连接方式是微分电容的一端连接电源端,微分电容的负极接触发二极管的正极,触发二极管的负极接振荡一管的基极,放电二极管接在微分负极与地线之间,放电电阻接在微分电容的正极与地线之间;
选频网络与双N管所形成的振荡电路由RC串联电路、阻容件并联电路、振荡一管、振荡二管、集电极电阻、发射极电阻、基极电阻共同组成;
RC串联电路的一端连接双管与选频网络形成的振荡电路的输出,RC串联电路的另一端与阻容件并联电路的一端相接,成为选频网络的输出,连接振荡一管的基极,阻容件并联电路的另一端接地线;
振荡一管的基极电阻一端接电源,另一端接振荡一管的基极,振荡二管的基极电阻接在振荡一管的集电极与振荡二管的基极之间,振荡一管与振荡二管的集电极分别接一个集电极电阻到电源,发射极各接一个发射极电阻到地线,振荡二管的集电极即为选频网络与双N管所形成的振荡电路的输出;
转换电路由PNP管、PNP管基极电阻与反相器组成;
PNP管的基极电阻接在PNP管的基极与选频网络与双N管所形成的振荡电路的输出之间,PNP管的发射极接编码集成电路的一位地址码,这位地址码即为第二变动码,PNP管的集电极接地线;
反相器的输入接选频网络与双N管所形成的振荡电路的输出,反相器的输出连接编码集成电路的一位数据输入端,这位数据输入端即为第二变位端;
与选频网络与双N管所形成的振荡电路的输出相接的编码集成电路的一位地址码,即为第一变动码,与选频网络与双N管所形成的振荡电路的输出相接的编码集成电路的一位数据输入端即为第一变位端,编码集成电路的输出连接射频电路;
射频电路由调制电路、发射电路、铜箔天线共同组成;
编码集成电路的输出连接调制电阻的一端,调制电阻另一端接调制三极管的基极,调制三极管的发射极接地,集电极接高频发射管的发射极;
铜箔天线是英文小写字母n形状,两条垂直的铜箔上方用弧形铜箔相吻接;
发射电路:晶振有三个端头,一个端头接铜箔天线的输入端,第二个端头接高频发射管的基极,第三个端头接高频发射管的发射极;
高频发射管的基极电阻接在铜箔天线的输入端与高频发射管的基极之间,高频发射管的集电极接铜箔天线的输出端;
铜箔天线的输入端与输出端之间接一个可调电容,可调电容并联一个固定电容;
旁路电路接在铜箔天线的输入端与高频发射管的发射极之间;
去耦电容接在铜箔天线的输出端与地线之间。
2.根据权利要求1所述的晶振式双变码发射器,其特征是:编码集成电路的其余地址码既不接地线也不接电源,为悬浮状态。
3.根据权利要求1所述的晶振式双变码发射器,其特征是:振荡一管与振荡二管都是NPN三极管。
4.根据权利要求1所述的晶振式双变码发射器,其特征是:控制开关为小型按键开关。
5.根据权利要求1所述的晶振式双变码发射器,其特征是:铜箔天线的尺寸是,铜箔宽度为2毫米,左右两条垂直的铜箔长度为30毫米,两条垂直铜箔的间距为20毫米,吻接两条垂直铜箔的弧形铜箔的高度是4.5毫米。
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