[实用新型]一种仿金属手机壳有效
| 申请号: | 201520314867.4 | 申请日: | 2015-05-17 |
| 公开(公告)号: | CN204559672U | 公开(公告)日: | 2015-08-12 |
| 发明(设计)人: | 张瑞辉;王杰;王影 | 申请(专利权)人: | 深圳市信太通讯有限公司 |
| 主分类号: | H04M1/02 | 分类号: | H04M1/02 |
| 代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
| 地址: | 523000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 金属 机壳 | ||
技术领域
本实用新型涉及手机保护壳结构技术领域,特别是一种仿金属手机壳。
背景技术
电镀技术制备的金属镀层具有优异的耐磨性、耐腐蚀性,已在电子产品中获得大量应用。但现有电镀工艺会产生大量的废水和重金属污染物。并且随着电子工业的迅猛发展,人们对电子产品的要求也越来越高,在质量得到保障的情况下,电子产品从外在体现出来的整体美观已经成为电子产品的一个重要组成部分。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种既能满足产品表面硬度、耐磨性及耐刮擦性要求,又能使产品整体壁厚较薄的仿金属手机壳。
本实用新型的目的通过以下技术方案来实现:一种仿金属手机壳,该手机壳由里至外依次包括壳体、等离子改性层、大功率溅射沉积金属层、中层、中面层及外层,所述的大功率溅射沉积金属层的厚度为200-600nm。
所述的等离子改性层是手机壳的塑胶基材经物理气相沉积等离子改性得到,离子源电流为0.3~0.5A,偏压20~60V,占空比40%~80%,氩气流速10~100SCCM,氧气流速0~150SCCM,时间5~10min,从而使气体与塑胶基材的表面发生化学或物理的相互作用,使塑胶基材表面分子链上产生极性,表面张力明显提高,改变其表面活性,通过塑胶基材表面的交联和刻蚀作用引起的表面物理变化明显改善塑胶基材表面的接触角和表面能,有效改善塑胶基材的粘接性能,使粘接性能大大提高。
所述的大功率溅射沉积金属层是通过大功率溅射沉积技术,在手机壳的等离子改性层表面制备金属层,大功率溅射沉积技术的工艺参数为:采用大功率直流电源,电源电流为50~200A,电压为400~600V,沉积时间为10~15min,偏压20~80V,占空比40%~80%,氩气流速50~100SCCM,沉积的金属为铝、铜、镍、铬中的一种。
所述的中层、中面层及外层为透明UV漆层。UV漆的硬度高,耐磨性好,但由于UV漆与大功率溅射沉积金属层的附着密度不一定能满足产品要求,因此在外层与大功率溅射沉积金属层之间设置了中层和中面层,以增强外层与大功率溅射沉积金属层的附着力及增强硬度。
所述的壳体的厚度为1~1.2mm,等离子改性层厚度为5~8μm,中层厚度为8~10um,中面层厚度为25~15μm,外层厚度为15~25μm。既能满足产品表面硬度、耐磨性及耐刮擦性要求,又能使产品整体壁厚较薄,具有仿金属效果。
本实用新型具有以下优点:本实用新型的等离子改性层表面张力高,有效改善了塑胶基材的粘接性能,使粘接性能大大提高,从而使得金属层附着力好,结构牢固并且不会产生废水,不会形成污染。UV漆层分三层设置,并使较薄的一层UV漆层与金属层贴覆,增强外层与大功率溅射沉积金属层的附着力及增强硬度,既能满足产品表面硬度、耐磨性及耐刮擦性要求,又能使产品整体壁厚较薄,具有仿金属效果。
附图说明
图1 为本实用新型的结构示意图
图中,1-壳体,2-等离子改性层,3-大功率溅射沉积金属层,4-中层,5-中面层,6-外层。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步的描述:
如图1所示,一种仿金属手机壳,该手机壳由里至外依次包括壳体1、等离子改性层2、大功率溅射沉积金属层3、中层4、中面层5及外层6,所述的大功率溅射沉积金属层3的厚度为200-600nm。
所述的等离子改性层2是手机壳的塑胶基材经物理气相沉积等离子改性得到,离子源电流为0.3~0.5A,偏压20~60V,占空比40%~80%,氩气流速10~100SCCM,氧气流速0~150SCCM,时间5~10min,从而使气体与塑胶基材的表面发生化学或物理的相互作用,使塑胶基材表面分子链上产生极性,表面张力明显提高,改变其表面活性,通过塑胶基材表面的交联和刻蚀作用引起的表面物理变化明显改善塑胶基材表面的接触角和表面能,有效改善塑胶基材的粘接性能,使粘接性能大大提高。
所述的大功率溅射沉积金属层3是通过大功率溅射沉积技术,在手机壳的等离子改性层2表面制备金属层,大功率溅射沉积技术的工艺参数为:采用大功率直流电源,电源电流为50~200A,电压为400~600V,沉积时间为10~15min,偏压20~80V,占空比40%~80%,氩气流速50~100SCCM,沉积的金属为铝、铜、镍、铬中的一种。
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