[实用新型]一种晶体硅太阳能电池三氯氧磷存储装置有效
申请号: | 201520289432.9 | 申请日: | 2015-05-06 |
公开(公告)号: | CN204614805U | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 胡俊涛;勾宪芳;高荣刚 | 申请(专利权)人: | 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B31/16 |
代理公司: | 北京天平专利商标代理有限公司 11239 | 代理人: | 缪友菊 |
地址: | 212132 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 三氯氧磷 存储 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及晶体硅太阳能电池扩散工艺,具体涉及一种硅太阳能电池的三氯氧磷存储装置。
背景技术
太阳能作为一种清洁、可再生的能源,对它的利用一直被人们所关注。晶体硅太阳能电池作为目前太阳能电池的主流,如何降低太阳能电池的成本,提高效率成为国内外晶体硅太阳能电池研究的重点。
发射极作为太阳能电池的关键组成部分决定了太阳能电池的性能,其掺杂浓度及深度,直接影响太阳能电池的效率,为了进一步提高晶体硅太阳能电池的效率,高方阻发射极的制备,目前成为行业的趋势,同时对发射极的均匀性及短波响应也提出了更高的要求。传统的扩散工艺,普遍采用氮气携带三氯氧磷管式静态扩散,由于三氯氧磷液位随着工艺消耗不断变低,而进气管位置不变,导致氮气携带的三氯氧磷随液位的变化逐渐降低,从而导致工艺稳定性变差,导致发射极的均匀性变差,无法做到±3ohm/sq的分布,因此硅片的方块电阻也无法做的更高,给后期工艺的制备带来一定的困难,造成电池片的转换率无法提到一个更高的层次。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是:提供一种晶体硅太阳能电池的三氯氧磷恒定供给存储装置。
为解决上述技术问题,本实用新型的一种晶体硅太阳能电池三氯氧磷存储装置,包括封闭的源瓶和设置在源瓶上并与源瓶相连通的进气管和出气管,所述源瓶内设有悬浮块和伸缩软管,所述悬浮块内部中空并设有通气管道,通气管道一端通过伸缩软管与进气管相连通,另一端为出气口。
上述技术方案的工作原理为:
对太阳能电池的发射极进行制备时,随着反应的进行,药液液位随之降低,同时悬浮块也随之上下浮动,带动通气管道随着药液液位变化而随之变化,使药液供给不受液位变化的影响,从而达到药液供给过程的平稳一致性。
进一步地,为使得进气和出气顺畅,进气管和出气管设置在源瓶顶部。
进一步地,悬浮块为柱体。
更进一步地,悬浮块为圆柱体或椭圆柱体。
进一步地,增加悬浮块的耐腐蚀性,悬浮块由石英制成。
进一步地,还包括石英套管,石英套管的一端位于源瓶内底部且不与源瓶相连,另一端向源瓶外部延伸;石英套管可以保证外部设施能够准确探测到源瓶内部磷源的温度,且使磷源被密封在源瓶内部,不与外部联通。
本实用新型的有益效果为:通过设置悬浮块和伸缩软管,使得太阳能电池发射极制造过程中三氯氧磷药液的液位随着反应的进行进气的位置发生相应变化,使药液供给不受液位变化的影响,从而达到药液供给过程的平稳一致性。此外,所用材料耐酸碱腐蚀避免了磷源污染问题,悬浮块为圆形或椭圆形设计,避免了棱角端对源瓶撞击造成的不安全因素;本实用新型还可以有效提扩散工艺稳定性,提高短波响应,有效提升三氯氧磷的利用率,避免了源瓶内液位不足就要更换磷源等问题。
附图说明
图1为本实用新型一种晶体硅太阳能电池三氯氧磷存储装置的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步描述。
图1示出了本实用新型一种晶体硅太阳能电池三氯氧磷存储装置的一种具体实施方式,图示的晶体硅太阳能电池三氯氧磷存储装置包括封闭的源瓶2和设置在源瓶2上并与源瓶相连通的进气管1和出气管6,源瓶2内设有石英制成的圆柱体悬浮块4和伸缩软管3,所述悬浮块4内部中空并设有通气管道,通气管道的一端通过伸缩软管3与进气管1相连通,另一端为出气口5,进气管1和出气管6设置在源瓶2顶部,存储装置还设有石英套管7,石英套管7的一端位于源瓶2内底部且不与源瓶2底部相连,另一端向源瓶2外部延伸。
上述实施例的工作原理为:
硅片经过制绒清洗后进入扩散工序,扩散过程中随着磷源的使用源瓶液位不断降低,通气管道悬浮在磷源内,随着磷源的消耗通气管道出口位置随之降低,保证了扩散过程中通气管道内氮气携带的三氯氧磷的量始终恒定。与现有源瓶相比,本三氯氧磷存储装置大大提高了发射极电阻的均匀性。
如上所述,尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型,但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在本实用新型权利要求解释的精神和范围前提下,可对其在形式上和细节上作出各种变化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的