[实用新型]太阳能电池单元、电池片阵列、电池组件有效
| 申请号: | 201520280868.1 | 申请日: | 2015-04-30 |
| 公开(公告)号: | CN204966514U | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
| 发明(设计)人: | 赵志强;姜占锋;何龙 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋合成 |
| 地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 单元 电池 阵列 组件 | ||
1.一种太阳能电池单元,其特征在于,包括:
电池片,所述电池片包括电池片基体和设在所述电池片基体的正面上的多个副栅线,所述副栅线包括邻近所述电池片基体边缘的边缘副栅线和位于所述边缘副栅线内侧的中间副栅线,所述副栅线上设有焊接部,所述边缘副栅线的至少一个焊接部在所述电池片基体上的投影的面积大于所述中间副栅线的焊接部的投影的面积;
多个导电线,所述多个导电线彼此间隔开设置,所述导电线在所述焊接部与所述副栅线焊接。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池单元,其特征在于,所述边缘副栅线的焊接部在正交于所述副栅线的方向上的宽度大于所述中间副栅线的焊接部的宽度。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池单元,其特征在于,所述边缘副栅线的焊接部的宽度为0.08-0.6mm。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池单元,其特征在于,所述边缘副栅线的焊接部的宽度为0.15-0.3mm。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的太阳能电池单元,其特征在于,所述边缘副栅线在相邻焊接部之间的部分的宽度等于所述中间副栅线在相邻焊接部之间的部分的宽度。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池单元,其特征在于,所述边缘副栅线在相邻焊接部之间的部分的宽度为0.015-0.03mm。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的太阳能电池单元,其特征在于,所述边缘副栅线的焊接部的长度大于所述边缘副栅线在相邻焊接部之间的部分的长度。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池单元,其特征在于,所述边缘副栅线的焊接部的长度与所述边缘副栅线在相邻焊接部之间的部分的长度之比为1.05-1.3:1。
9.根据权利要求1-4中任一项所述的太阳能电池单元,其特征在于,所述边缘副栅线为邻近所述电池片基体的一侧的副栅线。
10.根据权利要求1-4中任一项所述的太阳能电池单元,其特征在于,邻近所述电池片基体每一侧的边缘副栅线为从最外侧开始的第1-第5根副栅线。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池单元,其特征在于,邻近所述电池片基体每一侧的边缘副栅线为从最外侧开始的第1至第3根副栅线。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池单元,其特征在于,邻近所述电池片基体每一侧的边缘副栅线为从最外侧开始的第1至第2根副栅线。
13.根据权利要求1-4中任一项所述的太阳能电池单元,其特征在于,所述边缘副栅线的宽度大于所述中间副栅线的宽度。
14.根据权利要求1-4中任一项所述的太阳能电池单元,其特征在于,所述边缘副栅线上的焊接部的投影面积为0.1-1.2mm2,所述中间副栅线上的焊接部的投影面积为0.01-0.2mm2。
15.一种太阳能电池片阵列,其特征在于,包括多个电池单元,所述电池单元为根据权利要求1-14中任一项所述的太阳能电池单元,相邻电池单元的电池片之间通过所述导电线相连。
16.根据权利要求15所述的太阳能电池片阵列,其特征在于,所述导电线由金属丝构成,所述金属丝在相邻电池片的电池片中的一个电池片的表面与另一个电池片的表面之间往复延伸。
17.根据权利要求16所述的太阳能电池片阵列,其特征在于,所述金属丝在所述一个电池片的正面和所述另一个电池片的背面之间往复延伸。
18.根据权利要求16所述的太阳能电池片阵列,其特征在于,所述电池片基体的背面上设有背电极,所述金属丝与所述另一个电池片的背电极相连。
19.根据权利要求16-18中任一项所述的太阳能电池片阵列,其特征在于,所述金属丝在所述一个电池片的正面和所述另一个电池片的背面之间往复延伸10-60次。
20.根据权利要求16-18中任一项所述的太阳能电池片阵列,其特征在于,相邻导电线之间的间距为2.5-15mm。
21.根据权利要求16-18中任一项所述的太阳能电池片阵列,其特征在于,相邻导电线形成U形或V形结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





