[实用新型]一种具有防静电功能的新型UV切割膜

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种具有防静电功能的新型UV切割膜。

背景技术

在制造半导体及LED封装的工序中，当切断半导体晶片或LED产品部件时一般需要使用切割膜。该切割膜主要通过粘贴半导体晶片或LED产品部件来作为支撑，再通切割设备(如设备厂商：Disco会社，东京精密会社等)进行切割和分离，部分产品需对该切割膜进行扩展等；再从膜上拾取或剥离切割后的产品。

然而，在产品的贴膜、搬运以及切割等环节中，特别是后期产品的切割后捡取芯片的过程中都十分容易产生静电，这种静电会对芯片的性能造成一定程度的损伤，从而导致后续产品测试中良率的降低。

目前，现有的做法是在晶粒捡取设备上加装离子防静电风机，从而通过离子风来消散产生的静电，同时采用具有防静电性能的胶带来切割，即在基材膜制备或胶粘剂中添加多种抗静电的材料来达到防静电的效果。但是，由于制膜工艺较为复杂且防静电性能不稳定，同时由于添加的材料会影响基材膜和胶粘剂的一些基本性能，从而导致胶带切割产品时出现残胶或拉丝等异常情况，进而影响产品的良率；同时离子防静电风机的成本较为昂贵，从而导致成产成本的提高。

实用新型内容

为了解决上述的静电问题，本实用新型提供一种具有防静电功能的新型UV切割膜，具备加工简单、防静电效果好以及延展性好等优点。

上述的一种具有防静电功能的新型UV切割膜，包括基材膜层、UV胶粘膜层以及离型膜层，所述基材膜层贴合于UV胶粘膜层的上表面，所述离型膜层贴合于UV胶粘膜层的下表面；其中，所述基材膜层的上表面覆盖有抗静电涂层，所述抗静电涂层由防静电涂布液构成且厚度为0.001～0.004mm。

上述结构中，所述基材膜层的厚度为0.07～0.1mm。

上述结构中，所述UV胶粘膜层的电阻值为10¹¹Ω/sq～10¹²Ω/sq。

上述结构中，所述离型膜层为PET离型膜。

上述结构中，所述离型膜层的厚度为0.025～0.045mm。

本实用新型的优点和有益效果在于：本实用新型提供了一种具有防静电功能的新型UV切割膜，通过在基材膜层的表面喷涂一层0.001～0.004mm厚的防静电涂层，使得基材膜层的表面电阻率达到106Ω/sq～108Ω/sq，从而降低了晶圆切割捡取晶粒时产生静电的可能性，进而避免了对芯片损伤的风险，同时具备了加工简单和延展性好等优点，并最终达到了提高产品良率和降低生产成本等目的。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型中新型UV切割膜的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。

如图1所示，本实用新型记载了一种具有防静电功能的新型UV切割膜，包括基材膜层2、UV胶粘膜层3以及离型膜层4。

其中，上述的基材膜层2贴合于UV胶粘膜层3的上表面，而离型膜层4则贴合于UV胶粘膜层3的下表面；

优选的，上述基材膜层2的厚度为0.07～0.1mm且采用的是现有的PVC薄膜，其主要成分为低密度聚乙烯和聚氯乙烯等。该PCV薄膜具有良好的延展性和一定的抗静电性能；同时，UV胶粘膜层3主要是由多组分溶剂型丙烯酸压敏胶、UV单体或UV低聚物、光引发剂和固化剂混合制成，且其电阻值为1011Ω/sq～1012Ω/sq；此外，离型膜层4采用了现有的PET离型膜，该PET离型膜通用的有单面硅PET和单面氟素PET等，且其厚度为0.025～0.045mm。

进一步的，为了达到良好的防静电效果，所以在基材膜层2的上表面覆盖有抗静电涂层1，该抗静电涂层1主要由防静电涂布液构成，且厚度为0.001～0.004mm。

在实际使用中，首先将胶粘剂涂布在机台上，并基材膜层2的下表面涂布一层UV胶粘剂，从而形成UV胶粘膜层3；

然后，再通过配套的设备把UV胶粘膜层3的胶层面与离型膜复合成卷，以便形成离型膜层4；