[实用新型]多晶硅还原炉的绝缘套筒

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种绝缘套筒，特别是指一种多晶硅还原炉的绝缘套筒。

背景技术

多晶硅还原炉的主要技术是三氯氢硅还原法，生产过程中工艺气体被硅芯电机加热至1100℃左右，使三氯氢硅与氢气反应生成多晶硅并沉积在硅芯电机表面，形成硅棒。而硅芯电极的工作电压在15000V左右，如此高温高压的条件下，对硅芯电极的要求非常高。目前采用的硅芯电极主要包括电极体、加热石墨头硅芯及电极座，电极座，其中电极座与电极体之间通过绝缘套筒进行绝缘。现有的绝缘套筒通常为聚四氟乙烯绝缘套筒，由于还原炉内温度非常高，虽然通过设备底盘对电极座进行冷却，但聚四氟乙烯绝缘套筒所处环境的温度仍然很高，在长时间运行后容易失效，造成电极座与电极体之间击穿，导致生产事故。

实用新型内容

本实用新型提出一种多晶硅还原炉的绝缘套筒，解决了现有技术中绝缘套筒容易失效而导致电极座与电极体之间击穿等问题。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种绝缘套筒，用于套设在一多晶硅还原炉的电极体上，并位于该多晶硅还原炉的电机座内，该绝缘套筒包括绝缘筒体、连接设于该绝缘筒体中部的绝缘盘及连接设于该绝缘筒体顶端的绝缘顶缘，所述绝缘盘包括由该绝缘筒体中部的外周缘向外水平延伸的内环及由该内环的边缘向下垂直延伸的外环，在绝缘套筒设于还原炉上时，所述绝缘筒体与绝缘盘及还原炉的底盘之间形成封闭空间，所述绝缘套筒为氮化硅绝缘套筒。

优选方案为，所述内环与外环连接处的内外两侧分别形成圆弧形的倒角。

优选方案为，所述绝缘筒体与绝缘盘及还原炉的底盘围成一封闭空间。

优选方案为，所述绝缘顶缘由绝缘筒体顶端的外周缘向外水平延伸。

优选方案为，所述绝缘顶缘外周缘的最大边界小于该绝缘盘的最大边界。

优选方案为，所述绝缘盘的底端与还原炉的电极座之间还设有弹性垫圈。

本实用新型的有益效果为：

本实用新型中的绝缘套筒为氮化硅绝缘套筒，不会与氢气、氯化氢、氯化硅等气体反应，稳定性好，能起到隔热、防腐、耐高温效果；在组装时，所述绝缘筒体与绝缘盘及还原炉的底盘围成一封闭空间，以降低内硅棒辐射热及高温气流对绝缘套筒的烧毁而被击穿现象的发生。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型多晶硅还原炉的绝缘套筒的剖视图；

图2为图1中绝缘套筒的倒置后的立体图。

图中：

100、绝缘套筒；10、绝缘筒体；20、绝缘盘；30、绝缘顶缘；11、内孔；21、内环；22、外环。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1及图2所示，该绝缘套筒100用于套设在一多晶硅还原炉的电极体上，并位于该多晶硅还原炉的电机座内。该绝缘套筒100包括绝缘筒体10、连 接设于该绝缘筒体10中部的绝缘盘20及连接设于该绝缘筒体10顶端的绝缘顶缘30。该绝缘套筒100为氮化硅绝缘套筒，所述绝缘筒体10、绝缘盘20及绝缘顶缘30为一体式结构。

所述绝缘筒体10为圆筒状，其内孔11由上向下均匀延伸，即各处孔径相等。该绝缘筒体内径为35-55mm，外径为60-120mm。该绝缘筒体热导率为20-25W/m·k，能够耐1400℃左右的高温，且耐腐蚀。

所述绝缘盘20连接设于该绝缘筒体10的外周缘的中部，其包括与绝缘筒体10连接的内环21及与该内环21连接的外环22。所述内环21由该绝缘筒体10中部的外周缘向外水平延伸，所述外环22由该内环21的边缘向下垂直延伸。所述内环21与外环22连接处的内外两侧分别形成圆弧形的倒角。组装时，所述绝缘筒体10与绝缘盘20及还原炉的底盘围成一封闭空间，以降低内硅棒辐射热及高温气流对绝缘套筒的烧毁。在绝缘盘20的底端与还原炉的电极座之间还设有弹性垫圈(图未示)，从而可以增强绝缘套筒100与电极座之间装配的紧密度，且有效降低硅棒生长和移除对硅芯电极的影响。