[实用新型]一种新型结构的大量程反射式强度调制型光纤位移传感器

权利要求书

1.一种新型结构的大量程反射式强度调制型光纤位移传感器，包括光源、光源驱动电路、探头、光电转换装置、窄带带通滤波电路、交直流转换模块、A/D转换模块、单片机以及LED显示器，所述光源上连接有光源驱动器，其特征在于：所述探头内置有一根发射光纤和N根接收光纤，所述光源连接至探头的发射光纤，所述N根接收光纤的输出端连接至光电探测器，所述光电探测器输出端连接至窄带带通滤波电路，所述窄带带通滤波电路输出端连接至交直流转换模块，所述交直流转换模块输出端连接至A/D转换模块，所述A/D转换模块接入单片机，所述单片机上连接有LED显示器。

2.根据权利要求1所述的新型结构的大量程反射式强度调制型光纤位移传感器，其特征在于：所述发射光纤和接收光纤均为多模光纤，接收光纤以发射光纤以中心分布在发射光纤周围，组成同轴多层结构。

3.根据权利要求1所述的新型结构的大量程反射式强度调制型光纤位移传感器，其特征在于：所述探头上连接有两个光电探测器，分别用于参考光路和信号光路的光探测，所述两个光电探测器输出端经过差动放大模块之后接入窄带带通滤波模块。

4.根据权利要求3所述的新型结构的大量程反射式强度调制型光纤位移传感器，其特征在于：所述差动放大模块包括差动放大器以及连接在差动放大器正负输入端的前置电路一和前置电路二，所述前置电路一上连接有光电二极管一，所述前置电路二上连接有光电二极管二。

5.根据权利要求4所述的新型结构的大量程反射式强度调制型光纤位移传感器，其特征在于：所述前置电路一和前置电路二一样，所述光电二极管一和光电二极管二一样。

6.根据权利要求1所述的新型结构的大量程反射式强度调制型光纤位移传感器，其特征在于：所述光源为波长940nm的红外LED光源。

7.根据权利要求1所述的新型结构的大量程反射式强度调制型光纤位移传感器，其特征在于：所述光源驱动电路采取直流驱动或脉冲驱动。