[实用新型]一种新型电容器用金属化薄膜

说明书

技术领域：

本实用新型涉及电容器技术领域，特别涉及一种新型电容器用金属化薄膜。

背景技术：

现有金属化薄膜电容器，在基膜表面均匀蒸镀一层金属层，边缘处加厚再度一层，存在以下不足之处：（1）耐压高的产品，由于镀层比较薄，承受纹波电流能力不足，且产品在使用过程中容易氧化造成产品容量下降、损耗上升；（2）承受纹波电流能力强的产品，由于镀层比较厚，自愈能力差，造成产品耐压低。现有金属化薄膜电容器在耐压上与承受纹波电流能力上不能兼得，且存在反比现象,耐压越高，承受纹波电流能力越差；反之，越好。同时现有耐压高的产品镀层一般为锌铝，方阻一般在30Ω以上，镀层薄，极易氧化，造成产品提前失效。

发明内容：

本实用新型的目的是为了克服以上的不足，涉及一种用于制作电容器的新型金属化薄膜，从而使产品同时具有耐压高、承受纹波电流能力强，且不易氧化等优点。

本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：一种新型电容器用金属化薄膜，包括基膜和金属层，在基膜上蒸镀有金属层，金属层为铝层、锌层或锌铝合金层，基膜的宽度方向的一端边设有未镀金属层的空白区，所述空白区的宽度为2-4mm，金属层根据方阻值大小由区域1、区域2和区域3组成，区域1为边缘加厚区，宽度为3～10mm，方阻值为3-8Ω；区域2为低方阻区，宽度为基膜总长的1/4～1/2，方阻值为4-20Ω；区域3为高方阻区，方阻值大于10Ω；且在一张金属化薄膜上，区域3方阻≥区域2方阻≥区域1方阻，方阻值呈现出阶梯状。

本实用新型与现有技术相比具有的优点：

1、此阶梯式蒸镀方式，边缘加厚区2-1比常规蒸镀方式的加厚区更宽，方阻更低，所以在电极引出上等效串联电阻小，产品的损耗小；

2、此种结构卷绕出来的电容芯子，其自愈能力、耐压水平主要由区域3高方阻区决定，区域3的采用纯铝蒸镀，镀层薄，方阻高，自愈能力将更强，耐压将更高；

3、此阶梯式蒸镀方式，区域1，区域2镀层均加厚，金属镀层在整体上电阻表现得比常规蒸镀方式要小，因此产品在承受同样的纹波电流的情况下，发热将更小，温升将更低，故此种结构承受纹波电流能力将更强；

4、此阶梯式蒸镀方式，区域1与区域2为一般为方阻较小镀层较厚的锌铝金属层，而常规蒸镀方式同样耐压等级的薄膜一般为方阻较高镀层较薄的锌铝金属层，锌金属在潮湿的空气中极易氧化，因此方阻越高镀层越薄体现的越明显，故此阶梯式蒸镀方式在抗氧化能力上更有优势。

附图说明：

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型的切面图；

图中标号：1-基膜、2-金属层、3-空白区、2-1-区域1、2-2-区域2、2-3-区域3。

具体实施方式：

为了加深对本实用新型的理解，下面将结合实施例和附图对本实用新型作进一步详述，该实施例仅用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型保护范围的限定。

如图1-2示出了本实用新型一种新型电容器用金属化薄膜的具体实施方式：

实施例1

包括基膜1和金属层2，在基膜1上蒸镀有金属层2，金属层2为铝层、锌层或锌铝合金层，基膜1的宽度方向的一端边设有未镀金属层2的空白区3，空白区3的宽度为2mm，金属层2根据方阻值大小由区域1、区域2和区域3组成，区域1为边缘加厚区，宽度为3mm，方阻值为3Ω；区域2为低方阻区，宽度为基膜1总长的1/4～1/2，方阻值为是4Ω；区域3为高方阻区，方阻值为11Ω；且在一张金属化薄膜上，区域3方阻≥区域2方阻≥区域1方阻，方阻值呈现出阶梯状。

实施例2

包括基膜1和金属层2，在基膜1上蒸镀有金属层2，金属层2为铝层、锌层或锌铝合金层，基膜1的宽度方向的一端边设有未镀金属层2的空白区3，空白区3的宽度为3mm，金属层2根据方阻值大小由区域1、区域2和区域3组成，区域1为边缘加厚区，宽度为5mm，方阻值为4Ω；区域2为低方阻区，宽度为基膜1总长的1/4～1/2，方阻值为是10Ω；区域3为高方阻区，方阻值为20Ω；且在一张金属化薄膜上，区域3方阻≥区域2方阻≥区域1方阻，方阻值呈现出阶梯状。

实施例3