[实用新型]石墨烯纳米晶硅太阳能电池有效

申请号：	201520101000.0	申请日：	2015-02-12
公开（公告）号：	CN204375769U	公开（公告）日：	2015-06-03
发明（设计）人：	刘兴翀;魏欣;魏泽忠	申请（专利权）人：	成都格莱飞科技股份有限公司
主分类号：	H01L31/028	分类号：	H01L31/028;H01L31/04
代理公司：	成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218	代理人：	袁英
地址：	610041 四川省成都市高新区天***	国省代码：	四川;51
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摘要：
搜索关键词：	石墨纳米太阳能电池
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【权利要求书】：

1.石墨烯纳米晶硅太阳能电池，其特征在于：它的结构从上到下依次为：金属上电极（1）、SiNx薄膜（2）、宽帯隙的n 型石墨烯（3）、宽帯隙的p 型石墨烯（4）、n 型纳米晶硅薄膜（5）、p 型纳米晶硅薄膜（6）、窄帯隙的n 型石墨烯（7）、窄帯隙的p 型石墨烯（8）、金属下电极（9），所述的金属上电极（1）和金属下电极（9）为银电极。

2.根据权利要求1所述的石墨烯纳米晶硅太阳能电池，其特征在于：所述的金属上电极（1）为锌电极、铜电极、铂电极、铈钨电极、钇钨电极或锆钨电极；

所述的金属下电极（9）为锌电极、铜电极、铂电极、铈钨电极、钇钨电极或锆钨电极。

3.根据权利要求1所述的石墨烯纳米晶硅太阳能电池，其特征在于：所述的宽帯隙的n 型石墨烯（3）的原子层数为单层、双层或四层；

所述的宽帯隙的p 型石墨烯（4）的原子层数为单层、双层或四层；

所述的窄帯隙的n 型石墨烯（7）的原子层数为单层、双层或四层；

所述的窄帯隙的p 型石墨烯（8）的原子层数为单层、双层或四层。

4.根据权利要求1所述的石墨烯纳米晶硅太阳能电池，其特征在于：所述的n 型纳米晶硅薄膜（5）为n 型纳米多晶硅薄膜；所述的p 型纳米晶硅薄膜（6）为p 型纳米多晶硅薄膜。

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