[实用新型]GaN纳米栅线的石墨烯电极太阳能电池有效

申请号：	201520041666.1	申请日：	2015-01-21
公开（公告）号：	CN204315586U	公开（公告）日：	2015-05-06
发明（设计）人：	高鹏;郭辉;黄海栗;苗东铭;胡彦飞;张玉明	申请（专利权）人：	中电投西安太阳能电力有限公司
主分类号：	H01L31/0224	分类号：	H01L31/0224;H01L31/04
代理公司：	陕西电子工业专利中心 61205	代理人：	王品华
地址：	710100 陕西***	国省代码：	陕西;61
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	gan 纳米石墨电极太阳能电池
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种GaN纳米栅线的石墨烯电极太阳能电池，自上而下包括增透膜(1)、栅线层(3)、P型非晶硅层(4)、本征非晶硅层(5)、N型硅衬底(6)和背面电极(7)，栅线层(3)的周围设有正面电极(2)；该正面电极(2)与栅线连接，且上面设有金属接触电极(8)，其特征在于：栅线层(3)由相互交叉堆叠的GaN纳米线构成，正面电极(2)和背面电极(7)采用多层石墨烯材料。

2.根据权利要求1所述的GaN纳米栅线的石墨烯电极太阳能电池，其特征在于：正面电极(2)和背面电极(7)采用的多层石墨烯材料厚度均为100-200nm。

3.根据权利要求1所述的GaN纳米栅线的石墨烯电极太阳能电池，其特征在于：每根GaN纳米线的直径为50-100nm，长度为10-20μm。

4.根据权利要求1所述的GaN纳米栅线的石墨烯电极太阳能电池，其特征在于：所述P型非晶硅层(4)、本征非晶硅层(5)的厚度均为10-15nm。

5.根据权利要求1所述的GaN纳米栅线的石墨烯电极太阳能电池，其特征在于：所述N型硅衬底(6)的厚度为200-400μm。

6.根据权利要求1所述的GaN纳米栅线的石墨烯电极太阳能电池，其特征在于：所述的增透膜(1)采用ITO氧化铟锡透明导电薄膜或TCO氧化物镀膜玻璃。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中电投西安太阳能电力有限公司，未经中电投西安太阳能电力有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520041666.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。