[发明专利]绝缘栅双极晶体管的场截止层的低温外延制作方法在审
| 申请号： | 201511031081.2 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106935500A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陈美玲;陈冠宇 | 申请（专利权）人： | 节能元件控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 梁挥,尚群 |
| 地址： | 中国香港柴湾利*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 截止 低温 外延 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种绝缘栅双极晶体管的场截止层的低温外延制作方法，其特征在于，包含下列步骤：
a、提供一第一导电型基板，并在该第一导电型基板的一正面制作绝缘栅双极晶体管的正面元件及正面金属层；
b、于第一导电型基板的背面以低温外延工艺制作多层第二导电型杂质层；
c、再于第一导电型基板的背面以低温外延工艺制作一第一导电型杂质层；
d、于第一导电型基板底部表面制作一集极金属层。
2.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的场截止层的低温外延制作方法，其特征在于，低温外延工艺为电浆增强化学气相沉积法。
3.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的场截止层的低温外延制作方法，其特征在于，该第一导电型为P型或是N型。
4.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的场截止层的低温外延制作方法，其特征在于，在步骤d之后形成四层场截止层。
5.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的场截止层的低温外延制作方法，其特征在于，在步骤b所形成的多层第二导电型杂质层，杂质浓度沿着背面向深度方向逐渐降低。
6.如权利要求5所述的绝缘栅双极晶体管的场截止层的低温外延制作方法，其特征在于，杂质浓度的范围为1X1013cm-3至1X1016cm-3。
7.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的场截止层的低温外延制作方法，其特征在于，该集极金属层的材质为铝、氮化钛或是钨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
