[发明专利]一种Bi2 在审
申请号: | 201511024110.2 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN105645944A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 蒲永平;高子岩 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C04B35/26 | 分类号: | C04B35/26;C04B35/622 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 王霞 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 bi base sub | ||
本发明公开了一种Bi
技术领域
本发明属于材料制备技术领域,涉及多铁性材料的制备方法,具体涉及一种Bi
背景技术
多铁性材料又称磁电材料,它是指同时具有两种或两种以上基本铁性(铁电性、铁磁性和铁弹性)的材料,多铁性材料的研究与磁电耦合效应的研究是密不可分的,同一材料中磁性和铁电性共存使得多铁性材料不仅仅可以作为单一的磁性材料和铁电性材料来使用,同时,多铁性材料中磁与电的耦合效应,即外加电场导致物质磁化或外加的磁场导致物质内部出现电极化,使得该材料在应用中具有更高的自由度,为器件的小型化和多功能化提供了可能。
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