[发明专利]一种氧化铜纳米线的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及纳米新材料加工制造技术领域，具体涉及一种氧化铜纳米线的制备方法。

背景技术

目前制备负载型氧化铜纳米线(即将氧化铜纳米线负载到平面基材上)的常见方法有模板法-化学沉淀法(如专利CN201510061151.2)、模板-热氧化法(如CN200910038947.0)、热氧化法(如专利CN200610034006.6，CN201110094054.5)、等离子体轰击法(如专利CN201210264695.5)，上述方法制备工艺较为复杂或者对工艺条件要求较高。例如，在上述热氧化法中(CN201110094054.5)需要先在高度真空中采用磁控溅射法将金属铜沉积到基底上形成金属铜薄膜，然后将制备好的薄膜在大气氛围下退火即得到氧化铜纳米线阵列薄膜；再如，在上述等离子体轰击法中(如专利CN201210264695.5)，需先将铜薄膜通过热氧化生成氧化铜薄膜，然后通过物理的方法-等离子体轰击法将氧化铜薄膜刻成纳米线阵列。再如，专利CN200910038947.0所报道的模板-热氧化法，该方法是先依次在衬底上制备多层过渡层、金属膜和保护层，然后通过光刻方法选择性地暴露出金属膜表面，最后将该表面放置在含有氧气的气氛下加热，实现其氧化物纳米线的生长。总体上而言，这些方法在制备过程中大多涉及物理处理过程(如光刻、溅射、等离子体轰击等)，因此制备过程较为复杂、工艺成本较高，而且目前使用溶液化学方法很容易实现氧化铜纳米颗粒在平面基材上的沉积从而得到负载型氧化铜纳米材料，但使用溶液化学方法将氧化铜纳米线沉积在平面基材上得到负载型氧化铜纳米线则很困难，因为纳米线较长，其空间位阻也远大于球形纳米颗粒，不容易沉积在基材上，因此，现有方法多采用(或部分采用)物理的方法实现氧化铜纳米线在基材上的沉积。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足而提供一种生产成本低、反应周期短、效率高的二维平面基材支撑氧化铜纳米线制备方法。

本发明为解决上述问题所采用的技术方案为：

本发明提供一种氧化铜纳米线的制备方法，包括以下步骤：

(1)取2～200mmol二价铜盐溶于40mL水中并搅拌均匀形成二价铜盐溶液，取一定量络合剂溶于水中搅拌均匀形成络合剂溶液，向所述二价铜盐溶液中加入络合剂搅拌均匀形成二价铜盐混合溶液，所述络合剂与所述二价铜盐的摩尔比为1:1～4:1；

(2)取25～300mmol氢氧化钠溶于40mL水中形成氢氧化钠溶液；

(3)将所述氢氧化钠溶液在剧烈搅拌条件下缓慢加入所述二价铜盐混合溶液中搅拌均匀形成混合物溶液；

(4)将所述混合物溶液转入内壁贴有反应基材的反应釜中进行反应，在所述石墨纸基材上均匀沉积有纳米结构的氧化铜，并在所述石墨纸基材上形成纳米结构氧化铜薄膜，从而得到负载有纳米结构氧化铜薄膜的二维材料。

进一步地，步骤(1)所述二价铜盐为CuSO₄·5H₂O、CuCl₂和Cu(NO₃)₂中的一种或几种，所述络合剂为EDTA、柠檬酸钠、酒石酸钠、乙二胺、水杨酸、8-羟基喹啉-5-磺酸和三乙烯四胺中的一种或几种。

进一步地，步骤(4)中所述基材为石墨纸，所述基材为长12cm、宽5cm的基材。

进一步地，步骤(4)中所述混合物溶液在反应釜中反应时间为1～6h，温度为100～180℃。

本发明的有益效果在于：

本发明所提供的一种氧化铜纳米线的制备方法一步法，所使用的试剂均为廉价试剂、反应周期短、最快为1小时，此外，由于本方法使用了适当的络合剂，这些络合剂可以和二价铜盐络合从而控制氧化铜的生成速率，使所生成的氧化铜纳米晶有优先生长取向从而形成一些具有特定形貌的非球形纳米晶，因此，本方法所制备的氧化铜的基本组成单元并非球形或类球形颗粒，而是具有特殊形状的纳米线，此外，石墨纸导电率高，将氧化铜纳米材料负载到石墨纸上面作为催化剂用时，有利于催化剂的电荷分离，从而达到较高的催化效率。

附图说明

图1为实施例1中所制备的石墨纸支撑氧化铜纳米线的XRD谱图；

图2为实施例1中所制备的石墨纸支撑氧化铜纳米线的低倍SEM图片；

图3为实施例1中所制备的石墨纸支撑氧化铜纳米线的高倍SEM图片；

图4为实施例1中所制备的石墨纸支撑氧化铜纳米线的催化过氧化氢降解刚果红的效果图；