[发明专利]气囊式晶片粘结助压手柄

说明书

本发明提供一种气囊式晶片粘结助压手柄，包括：内置通气管道的握柄；能装卸地安装于所述握柄的梢端的气囊；和设于所述通气管道上的气阀；所述通气管道的一端与所述气囊连通，所述通气管道的另一端与供气单元相连通。本发明用于晶片粘结后挤出气泡、压按平整。

技术领域

本发明属于半导体晶片抛光平整装备应用领域，具体地，涉及一种用于晶片粘结后压按晶片使其粘结得平坦紧密的气囊式晶片粘结助压手柄。

背景技术

半导体晶片是制备现代光电子器件的基底材料，它们表面的面形参数如总厚度偏差（Total Thickness Variation, TTV）、弯曲度（Bow）、翘曲度（Warp）等直接影响到后续器件制备工序的成品率和器件的性能。半导体晶片首先由完整的晶啶切割为毛坯晶片，然后这些毛坯晶片经过表面的研磨、抛光、清洗等工序的加工，最终才能用于光电子器件的制备。通常，切割后的毛坯晶片的面形参数TTV差别明显、Bow和Warp表现显著，并且晶片表面粗糙度大、平整度差，所以必须经过研磨和抛光操作才能达到后续器件制备工序的要求。

研磨和抛光操作是指通过化学机械抛光（Chemical mechanical polishing,CMP）的方法对毛坯晶片的表面进行研磨和抛光操作，消除晶片的厚度和平整度的偏差，并进一步使晶片表面达到原子量级的平整度。有蜡抛光技术是半导体晶片加工的一种有效技术，特别适合尺寸大、厚度薄的样品。采用有蜡抛光技术抛光获得的晶片表面平整、损伤小。有蜡抛光工艺通常是将切割好的晶片利用石蜡粘接在载样盘上，然后将载样盘放置于CMP工作平台上。载样盘和抛光平台在机械力的带动下作相对转动，同时在抛光平台上喷洒磨料，这样载样盘上粘接的晶片在抛光平台摩擦力和磨料的作用下实现研磨和抛光的目的。

在实际生产中，由于各块晶片之间的加工存在差异，它们的厚度、TTV、Bow、Warp等参数不可能完全一致，甚至厚度相互之间差别很大，而通常一个载样盘上需要粘结多片晶片。以此，晶片在载样盘上粘结得是否平整会影响到抛光的最终效果。目前使用的方式是在晶片粘接后，在石蜡未冷却凝结之前依次用软布、刷子和模块压按，挤压出背部的气泡，使晶片平整。

晶片在粘结的过程中，采用软布和刷子压按虽然可以少量地调整晶片的位置和角度，然而其力度较小，通常难以使晶片完全压平，无法排除石蜡粘结部分中的气泡。而采用模块压按虽然力度较大，然而却容易使晶片压裂。同时，随着现代半导体技术的发展，大尺寸、薄厚度的晶片越来越成为趋势，常规的晶片粘结助压使用的软布、刷子和模块的使用也越来越受到限制。

发明内容

鉴于以上存在的问题，本发明所要解决的技术问题在于提供一种用于晶片粘结后挤出气泡、压按平整的气囊式晶片粘结助压手柄。

为了解决上述技术问题，本发明所提供的气囊式晶片粘结助压手柄，包括：内置通气管道的握柄；能装卸地安装于所述握柄的梢端的气囊；和设于所述通气管道上的气阀；所述通气管道的一端与所述气囊连通，所述通气管道的另一端与供气单元相连通。

采用本发明的气囊式晶片粘结助压手柄，可供充气用的气阀具有打开和闭合功能，通过供气单元经由通气管道对可装卸地安装于握柄的梢端处的气囊进行充气，利用充气后的气囊对晶片进行压按操作，将粘结后晶片粘结面中存在的气泡挤出，从而使晶片粘结平整、紧密。本发明可应用于半导体晶片抛光平整装备应用领域。

本发明的气囊式晶片粘结助压手柄，既可以保证晶片表面受力均匀，又可以达到压平晶片所需要的力度。同时，由于气囊各向受力均匀的特性，可以最大限度的消除石蜡粘结部分中的气泡，使晶片粘结平整、紧密。

又，在本发明中，也可以是，所述握柄形成为T型握柄。

根据本发明，握柄形成为T型握柄，可方便操作人员握持，有利于对粘结后的晶片进行压按。

又，在本发明中，也可以是，所述气囊安装于所述T型握柄的下部，所述通气管道从所述T型握柄的下部贯通至上部并从上部的任意一端向外延伸。