[发明专利]一种存储单元的编程方法

权利要求书

1.一种存储单元的编程方法，其特征在于，包括：

接收编程指令；

根据编程指令向存储单元施加编程电压，并且向存储单元的P型阱上施加负电压；

检验存储单元的当前状态是否为已经编程成功，若是，则结束当前编程操作，否则改变施加到存储单元P型阱上的电压值，直至编程成功。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据编程指令向存储单元施加编程电压，包括：

所述向存储单元的栅极、源极和漏极施加的编程电压分别为9V、0V和5V。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述负电压为：-0.5V、-0.75V或者-1V。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向存储单元的P型阱上施加负电压之前，还包括：将存储单元的源极与存储单元的P型阱短接。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，改变施加到存储单元P型阱上的电压值，包括：

将施加到存储单元P型阱上的电压值降低设定电压值。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述设定电压值为-0.1V或者-0.05V。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检验存储单元的当前状态是否为已经编程成功，具体为：

检测从存储单元的源极流向漏极的电流值是否小于预设电流值，若是，则所述存储单元的当前状态为已经编程成功。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在改变施加到存储单元P型阱上的电压值之前，还包括：

通过编程计数器对编程失败的次数进行累计；

判断所述编程计数器中的数值是否为设定的最大值，若是，则结束此次编程操作，否则执行改变施加到存储单元P型阱上的电压值的操作。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述设定的最大值为小于或者等于64的正整数。