[发明专利]一种导电PP膜材料在审
| 申请号: | 201510939050.0 | 申请日: | 2015-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN105440441A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
| 发明(设计)人: | 张宇;左士祥 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学常熟研究院有限公司 |
| 主分类号: | C08L23/12 | 分类号: | C08L23/12;C08L23/06;C08L23/16;C08L23/28;C08L23/08;C08K13/04;C08K3/04;C08K5/20;C08K5/098;C08K7/06 |
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| 地址: | 215513 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 导电 pp 材料 | ||
技术领域
本发明涉及导电塑料领域,尤其涉及一种导电PP膜材料。
背景技术
导电复合材料目前主要是指复合型导电高分子材料,是将聚合物与各种导电物质通过一定的复合方式构成。长期以来,高分子材料通常是作为绝缘材料在电气工业、安装工程、通讯工程等方面广泛使用。普通高分子材料在加工和使用过程中,静电现象十分严重,在某些情况下,不但会影响材料的使用性能,甚至还会造成危害,如降低感光胶片的使用性能;塑料包装材料的静电吸尘,降低了商品价值;易燃、易爆环境使用的各种塑料制品和电子产品,由于静电引起的火花爆炸及燃烧。所有这些都应该采用导电复合材料,以提高材料的静电能力。PP塑胶原料,强度、刚度、硬度耐热性均优于低压聚乙烯,可在100度左右使用,具有良好的电性能和高频绝缘性不受湿度影响,但低温时变脆、不耐磨、易老化。
由于材料的导电性能差,在加工和应用中出现了一些急待解决的问题,最突出的是静电现象,它将导致感光胶片的性能下降及高分子制品在易燃、易爆场合引起灾难性事故。另外为了抵抗电磁干扰和射率干扰,也需解决材料的屏蔽性能,这些都要求高分子材料具有新的导电功能及较低的表面电阻,从而促进导电高分子材料的迅速发展。所谓对电磁波的屏蔽作用是指限制电磁波的能量由材料的一面向另一面传递,使用磁场强度或辐射强度降低,其屏蔽效果用电磁波衰减的分贝值DB表示,每衰减10DB,表示电磁波强度下降一个数量级。目前在塑料中填加金属箔片和金属纤维,是制造电磁波屏蔽用导电塑料的主要方法。
PP的流动率MFR范围在1~40。低MFR的PP材料抗冲击特性较好但延展强度较低。对于相同MFR的材料,共聚物型的强度比均聚物型的要高。由于结晶,PP的收缩率相当高,一般为1.8~2.5%,并且收缩率的方向均匀性比PE-HD等材料要好得多。加入30%的玻璃添加剂可以使收缩率降到0.7%。铁氧体具有吸收电磁波的特性,但其加工工艺限制了它的应用,如果把铁氧体粉末与树脂复合物则可用热压方法制成各种形状的屏蔽零件或用涂敷的方法制成表面吸收涂层以满足需要。复合导电塑料还大量用作高压电缆的内、外部的半导体层,以及低压电缆的外部半导体层。导电橡胶气密性好,经常用于密封材料。另外,导电橡胶在电子和电真空技术中经常用到,它可以克服由于锡焊造成的缺点,具有一定的强度和导电性。
PP是一种半结晶性材料。它比PE要更坚硬并且有更高的熔点。由于均聚物型的PP温度低于0℃以下时非常脆,因此许多商业的PP材料是加入1~4%乙烯的无规则共聚物或更高比率乙烯含量的嵌段式共聚物。共聚物型的PP材料有较低的热扭曲温度(100℃)、低透明度、低光泽度、低刚性,但是有更强的抗冲击强度。导电材料过去常用碳黑,现在多采用碳纤维、石墨纤维、金属粉、金属纤维及碎片、镀金属的玻璃纤维及其他各种新型导电材料。导电材料层积复合法:是将碳纤维毡、金属丝、片、带等导电层与塑料基体层叠压在一起制成的导电塑料。采用的金属丝、片、带主要有钢、铝、铜和不锈钢。复合导电塑料采用的基体树脂范围相当广泛,常用的有:ABS、PE、铝粉、PA、PC、PP、PET、POM,以及改性的PPO、PBT、PVC,掺和物PC/ABS等。
聚丙烯树脂若甲基无秩序的排列在分子主链的两侧称无规聚丙烯,当甲基交替排列在分子主链的两侧称间规聚丙烯。一般工业生产的聚丙烯树脂中,等规结构含量约为95%,其余为无规或间规聚丙烯。工业产品以等规物为主要成分。聚丙烯也包括丙烯与少量乙烯的共聚物在内。通常为半透明无色固体,无臭无毒。由于结构规整而高度结晶化,故熔点可高达167℃。耐热、耐腐蚀,制品可用蒸汽消毒是其突出优点。密度小,是最轻的通用塑料。缺点是耐低温冲击性差,较易老化,但可分别通过改性予以克服。随着社会城市化、科技化的发展,随着人性化理念的普及,及新型和谐社会的构成,设计一种弯曲模量高、缺口冲击强度高、拉伸强度高、断裂伸长率高、冲击强度高和体积电阻率低的导电PP膜是很重要的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种导电PP膜材料,解决现有导电PP膜弯曲模量、缺口冲击强度、拉伸强度、断裂伸长率、冲击强度低和体积电阻率高等技术问题。
本发明采用以下技术方案:
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