[发明专利]一种镀膜膜厚监测方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种镀膜膜厚监测方法，用于精确地测量厚膜膜厚。

背景技术

光学薄膜技术应用越来越广泛，而膜厚是光学薄膜最重要的指标之一。 膜厚对薄膜的光学、电学和力学性能都有决定性的影响。因此，在生产过程 中能够准确监测膜厚显得非常重要。而随着对薄膜要求的提高，复杂膜系的 各层薄膜膜厚精度要求也越来越高，复杂膜系的厚度通常也较厚。

通常使用石英晶振对膜厚进行监测，晶振和产品被一起镀膜，通过探测 晶振的频率变化计算得到膜厚。石英晶振上的膜厚越大，膜厚监测灵敏度越 差，降低了产品的良率。对于厚膜的监控，现有技术中有一些改进的方法， 即在镀膜腔内不同位置增加一个晶振探头进行测量，第一个晶振在被镀膜时， 第二个被遮挡，当厚度到达一定程度后，第二个晶振被镀膜并开始监测。对 于复杂膜系的蒸镀，其总厚度大，而厚度精度要求还高，在不同位置增加探 头进行厚度监测虽然改善了单探头不灵敏的缺点，但由于均匀性的问题，不 同位置的镀膜厚度并不完全相同，不同位置的监测连续性较差，从而会影响 膜系的精度，降低了产品的良率。

发明内容

为克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种结构简单、灵敏性 高的镀膜膜厚监测方法。

为实现上述目的，本发明通过以下技术方案实现：

一种镀膜膜厚监测方法，包括：在挡板1上设有通孔2，第一晶振3与 第二晶振4的监测位置相同，通孔处设为监测位置，第一晶振在监测位置被 镀膜时，遮挡第二晶振；当第一晶振被镀膜到一定的厚度后，第一晶振被移 离而第二晶振被移到监测位置，对膜厚进行连续监测。

优选的是，所述的膜厚监测装置，其中，所述第一晶振位于第二晶振左 侧，当第一晶振被镀膜到一定厚度后，两个晶振被同时移向左侧，第二晶振 在通孔处被镀膜，开始对膜厚进行监测，而第一晶振被遮挡并停止工作。

优选的是，所述的膜厚监测装置，其中，所述通孔尺寸与所述第一晶振 或第二晶振相对应。

本发明的有益效果：本案提供了一种新的镀膜时膜厚监测方法，其监测 装置的探头包含两个晶振，两个晶振的监测位置相同，本案可精确地监控厚 膜层的厚度，从而保证准确完成复杂膜系的镀膜，提高了产品的良率；同时 可以实现复杂膜系厚度的准确监测，而且成本低，方法简单。

附图说明

图1为本发明一实施例所述的镀膜膜厚监测方法的结构示意图；

图2为本发明一实施例所述的镀膜膜厚监测方法中当第二晶振位于检测 位置时的结构示意图。

其中，1-挡板，2-通孔，3-第一晶振，4-第二晶振。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照 说明书文字能够据以实施。

一种镀膜膜厚监测方法，包括：挡板1，设于挡板上的通孔2，第一晶振 3，第二晶振4，其中，第一晶振与第二晶振的监测位置相同，通孔处为监测 位置，第一晶振在监测位置被镀膜时，遮挡第二晶振；当第一晶振被镀膜到 一定的厚度后，第一晶振被移离而第二晶振被移到监测位置，对膜厚进行连 续监测，从而实现了在同一位置的连续监测。本发明提供的一种新的晶振探 测结构，探头包含两个晶振，两个晶振的监测位置相同。首先，本发明可以 精确地监控厚膜层的厚度，从而保证准确完成复杂膜系的镀膜，提高了产品 的良率。本发明可以实现复杂膜系厚度的准确监测，而且成本低，方法简单。

进一步的，所述第一晶振位于第二晶振左侧，当第一晶振被镀膜到一定 厚度后，两个晶振被同时移向左侧，第二晶振在通孔处被镀膜，开始对膜厚 进行监测，而第一晶振被遮挡并停止工作。

进一步的，所述通孔尺寸与所述第一晶振或第二晶振相对应，具体为使 得整个第一晶振或第二晶振被镀膜。

如图1-2所示，利用挡板的通孔作为监测位置，通孔尺寸要保证整个晶 振片都可被镀膜。首先，第一晶振在通孔处被镀膜，对膜厚进行监测，第二 晶振被遮挡住并不工作；当第一晶振被镀膜到一定厚度后，两个晶振被同时 移向左侧，第二晶振在通孔处被镀膜，开始对膜厚进行监测，而第一晶振被 遮挡并停止工作。

尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方 式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领 域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范 围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的图 例。