[发明专利]一种基于红外光远程充电的柔性植入式电源的制造方法在审

专利信息
申请号: 201510929601.5 申请日: 2015-12-12
公开(公告)号: CN105552206A 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 蒋维涛;刘红忠;赵婷婷;牛东;雷彪;陈邦道;史永胜;尹磊 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01L37/00 分类号: H01L37/00
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 贺建斌
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 红外光 远程 充电 柔性 植入 电源 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种基于红外光远程充电的柔性植入式电源的制造方法,其特征在 于,包括以下步骤:

1)在热释电薄膜上制作微阵列结构,得到结构化的热释电薄膜;

2)在结构化的热释电薄膜上下两面的一端各溅射一层金属薄膜,然后在 结构化的热释电薄膜上下两面制备透明电极薄膜,使透明电极薄膜一侧搭在 金属薄膜上,用导电银浆将铜导线固定在金属薄膜上,完成柔性植入式电源 的制备;

3)将PDMS滴涂在柔性植入式电源上,使柔性植入式电源完全被PDMS 薄膜包围住,只露出铜导线,然后加热至65℃,保持4个小时固化;

将柔性植入式电源接入电路中,红外光照射柔性植入式电源实现光能向 电能的转换,通过控制红外光照射的强度和频率实现不同的光-热-电转换效 率。

2.根据权利要求1所述的一种基于红外光远程充电的柔性植入式电源的 制造方法,其特征在于:所述的步骤1)中所用的热释电薄膜为柔性的热释 电材料,包括PVDF或PMN-PT。

3.根据权利要求1所述的一种基于红外光远程充电的柔性植入式电源的 制造方法,其特征在于:所述的步骤1)中热释电薄膜的厚度为30-100μm。

4.根据权利要求1所述的一种基于红外光远程充电的柔性植入式电源的 制造方法,其特征在于:所述的步骤1)中在热释电薄膜上制作微阵列结构 的方法包括纳米压印法、湿法刻蚀或干法刻蚀。

5.根据权利要求1所述的一种基于红外光远程充电的柔性植入式电源的 制造方法,其特征在于:所述的步骤1)中热释电薄膜上的微阵列结构包括 圆孔阵列、方孔阵列和通槽阵列,圆孔阵列的孔径为50-100μm,孔间距为 100-150μm,孔深为10-50μm;方孔阵列的孔宽为50-100μm,孔间距为 100-150μm,孔深为10-50μm;通槽阵列的槽宽为50-100μm,槽间距为 100-150μm,槽深为10-50μm。

6.根据权利要求1所述的一种基于红外光远程充电的柔性植入式电源的 制造方法,其特征在于:所述的步骤2)中的金属薄膜包括金、银或铜,厚 度为10-50nm。

7.根据权利要求1所述的一种基于红外光远程充电的柔性植入式电源的 制造方法,其特征在于:所述的步骤2)中透明电极薄膜包括PEDOT、石墨 烯或ITO。

8.根据权利要求1所述的一种基于红外光远程充电的柔性植入式电源的 制造方法,其特征在于:所述的步骤2)中在结构化的热释电薄膜上下两面 制备透明电极薄膜的制备方法包括湿法转移法、旋涂法或磁控溅射方法。

9.根据权利要求1所述的一种基于红外光远程充电的柔性植入式电源的 制造方法,其特征在于:所述的步骤3)中红外光的波段在760-1500nm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510929601.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top