[发明专利]多个光栅刻刀并行干涉控制式光栅刻划方法

权利要求书

1.多个光栅刻刀并行干涉控制式光栅刻划方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：将n套刻划系统(5)以相等的间距D并行安装于主机座(3)上，每套刻划系统(5)的刻划刀架(506)上设置有压电执行器(505)、位置测量干涉计(503)和参考反射镜(507)；

步骤二：将用于光栅转刃实验的光栅基底安装在光栅基底承载工作台(2)上，对n套刻划系统(5)中的光栅刻刀(508)进行转刃实验；

步骤三：将用于光栅预刻划实验的光栅基底安装在光栅基底承载工作台(2)上，进行光栅预刻划实验，得到第2到第n块子光栅相对于第1块子光栅的刻线位置误差E₂、E₃……E_n；

步骤四：根据步骤三中得到的第2到第n块子光栅相对于第1块子光栅的刻线位置误差E₂、E₃……E_n进行光栅模板刻划，具体步骤为：

1)根据步骤三中得到的第2至第n块子光栅相对于第1块子光栅的刻线位置误差，计算得到n块子光栅的各刻线理想位置的计算表达式分别为：k×d、k×d-E₂……k×d-E_n-1、k×d-E_n，其中k为当前刻线数，d为光栅栅距；

2)准备光栅刻划条件，将每套刻划系统(5)上的压电执行器(505)的位置设置在其总行程的一半位置处，将n套刻划系统(5)中的刻划刀架(506)移动至刻划的起始位置，将n套刻划系统(5)中的位置测量干涉计(503)的读数清零；将用于光栅母版刻划的光栅基底固定在光栅基底承载工作台(2)上；

3)根据光栅刻划总长度G_w设置n套刻划系统(5)中光栅刻刀(508)对应的刻划长度，开始刻划；

4)在光栅每条刻线刻划过程中，采用n个位置测量干涉计(503)分别测量各自的参考反射镜(507)与对应的测量反射镜(4)之间的相对位置；并根据n个位置测量干涉计(503)的测量结果，分别实时调节n个压电执行器(505)的位置；

5)当n套刻划系统(5)刻划的子光栅完成步骤3)中设置的刻划长度后，停止光栅刻划。

2.根据权利要求1所述的多个光栅刻刀并行干涉控制式光栅刻划方法，其特征在于，步骤二中所述的对n套刻划系统(5)中的光栅刻刀(508)进行转刃实验具体为：启动n套刻划系统(5)对用于光栅转刃实验的光栅基底进行刻划，直到n套刻划系统(5)中的刻划刀刻出的刻槽槽形与设计的理想槽形一致，卸下用于光栅转刃实验的光栅基底，完成转刃实验。