[发明专利]KDP调Q开关

权利要求书

1.KDP调Q开关，包括外壳，其特征在于：外壳中设有KD*P晶体，在沿光路方向上，KD*P晶体的两侧设有密封光窗，在垂直光路方向上，KD*P晶体与外壳之间由内向外依次设有晶体支架、加热套和加热丝，加热丝固定在加热套上，加热套将加热丝和晶体支架隔离开，晶体支架上安装有用于连接驱动高压的驱动电极，驱动电极与KD*P晶体电连接。

2.根据权利要求1所述的KDP调Q开关，其特征在于：KD*P晶体与所述密封光窗之间设有密封圈，密封光窗外设有端盖，端盖与密封光窗之间设有光窗压圈，端盖固定在所述晶体支架上，端盖上安装有用于使端盖向内压紧的顶丝。

3.根据权利要求1或2所述的KDP调Q开关，其特征在于：所述KD*P晶体与晶体支架之间设有导电密封圈，所述驱动电极与导电密封圈导通。

4.根据权利要求3所述的KDP调Q开关，其特征在于：所述KD*P晶体上设有镀金环，所述导电密封圈与镀金环导通。

5.根据权利要求4所述的KDP调Q开关，其特征在于：所述驱动电极通过螺纹旋装固定在晶体支架上后密封。

6.根据权利要求5所述的KDP调Q开关，其特征在于：所述晶体支架的材料为聚甲醛，端盖材料为铝材，密封光窗材质为K9玻璃，导电密封圈材料为铜镀银导电硅橡胶，加热套材料为环氧树脂玻璃层压布棒，加热丝采用四氟漆包康铜丝，密封圈材料为透明硅橡胶，所述驱动电极固定后加涂硅橡胶。

7.根据权利要求2所述的KDP调Q开关，其特征在于：位于KD*P晶体一侧的端盖外设有向内压紧的开关压圈，开关压圈的外周设有外螺纹，并通过外螺纹固定在所述外壳上。

8.根据权利要求2所述的KDP调Q开关，其特征在于：所述端盖上安装有用于监控加热温度的温度传感器。

9.根据权利要求1或2所述的KDP调Q开关，其特征在于：所述KD*P晶体的消光比大于等于3000:1，晶体的晶轴与通光光轴的夹角在7′以内，垂直度小于等于10′，平面度小于等于λ/5，平行度小于等于10″，均匀性小于等于λ/4，从而实现KDP调Q开关的消光比大于等于1000:1。

10.根据权利要求1或2所述的KDP调Q开关，其特征在于：KD*P晶体和密封光窗的通光面上均镀制1064nm的增透膜，晶体上的增透膜的透过率T₁≥98%，密封光窗的增透膜的透过率T₂≥99%，从而实现KDP调Q开关的透过率大于等于97%。