[发明专利]光罩清洗装置有效
申请号: | 201510872212.3 | 申请日: | 2015-12-02 |
公开(公告)号: | CN106807654B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 陈明生 | 申请(专利权)人: | 特铨股份有限公司 |
主分类号: | B08B1/00 | 分类号: | B08B1/00;G03F1/82 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;李林 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 装置 | ||
本发明涉及一种光罩清洗装置,尤指一种供清洗护膜两侧下表面的光罩清洗装置,其由一湿式清洁模块及一干式清洁模块所组成,该湿、干式清洁模块具有可卷动的无尘布条,供利用无尘布条可直接擦拭光罩表面的方式,以,能迅速、且有效的去除表面附着的微尘或雾化,能提高后续制程的效率与合格率,再者本发明可进行两阶段清洁,其能在清洁后擦干水分,而不致残留清洁水痕或污渍,有助于提升清洁品质。
技术领域
本发明涉及一种光罩的清洗技术,具体而言涉及一种可以擦拭方式清洗光罩表面的光罩清洗装置,以能快速、且有效的清理光罩表面,供提升半导体制程的合格率。
背景技术
按,在半导体的制程中,微影(Photolithography)与蚀刻制程(Etching Process)是用来完成晶圆表面的图案制作,其中用以供微影制程使用的光罩(Mask)具有不可或缺的关键地位。光罩系一绘有特定图案的透光玻璃片,其中包含一具图形(Pattern)的图案区,供利用一光源,将图案区上的图形转移至晶圆上的光阻,再经过蚀刻制程于晶圆表面完成图案。
因此影响晶圆合格率中最重要的因素其中一项即为光罩是否有遭受到污染,若光罩上出现微尘粒子,会使得受污染的光罩用于半导体微影制程时,会于晶圆上产生相对应的缺陷(Defect),是以,为了保持光罩的清洁,一般会于光罩上设置有护膜(Pellicle),以防止微尘粒子沾附在光罩上,而护膜为通过框架支撑而与光罩保持一距离,使落在光罩上的微尘粒子收集在护膜上,微影制程因护膜产生相当程度成像失真,使得该微尘粒子不至影响原本微影制程。
传统光罩清洗方法,凭借人工方式针对光罩的表面作一洁净处理。清洁人员将该光罩稳固的放置于一架体上,并凭借一清洗液(例如:丙酮、乙醇及去离子水等)冲洗该光罩表面,同时以一刷具刷除该光罩表面的颗粒物质;接着,再次以该清洗液冲洗该光罩的表面,如此重复数次上述清洁步骤后再对该光罩进行干燥,如此,可去除光罩表面的杂质或残余物,进而确保光罩表面的洁净度。
但上述现有光罩的清洗方法具有如清洁人员于清洗该光罩时需长时间暴露于该清洗液的工作环境下,极易因吸入或直接接触该化学物质,而影响该清洁人员的身体健康的缺点。为了解决前述的问题,近年来业界开发有多种自动化的光罩清洗设备,但其仍需使用大量有机溶剂制成的清洗液,虽然减少人员的接触量,但其一样存在清洗液管理与污染的问题,且其清洗时因系冲洗为主,一样不易有效清洁光罩表面;
再者,由于护膜所使用的粘胶为酯类结构(RCOOR)x,如聚丙烯酸酯的高分子结构,故当光罩接触硫酸与过氧化氢溶液的清洗液时,(RCOOR)x会水解成可流动但不溶于水的胶态物质(RCOOH)x,且(RCOOH)x可能造成光罩图案上的缺陷与光罩的报废,是以现有光罩清洗装置无法进行护膜两侧表面的清洁,然而光罩于护膜两侧的表面形成有多样的识别及校准图形,当其受到污染时仍会造成缺陷(Defect)的问题,故一样有进行清理的需求,现有者仅能以人工方式进行,造成光罩清洁上极大的困扰与不便,如何解决前述问题,系业界的重要课题。
缘是,本发明即基于上述目前常见缺失予以总体考量后,希冀以本发明所提供的光罩清洁结构可有效的进行光罩的护膜两侧表面的清洁,同时达到保护清洁人员人身安全、且能维持光罩清洁程度,并可迅速且有效的缩短清洁时间,以利半导体工厂使用且进一步可达提升半导体制程合格率的功效。
发明内容
因此,本发明的主要目的是在提供一种以擦拭方式清洁光罩的护膜两侧表面的光罩清洗装置,以能迅速、且有效的进行表面清洁,从而提高后续制程的效率与合格率。
又,本发明的次一主要目的在于提供一具湿式清洁与干式清洁的光罩清洗装置,供进行两阶段清洁,可有效清洁光罩表面上所附着微粒或雾化污渍,且清洁后不会残留清洗水痕或污渍,有助于提升清洁效率。
再者,本发明的另一主要目的在于提供一种可将光罩表面微粒与污渍直接擦拭干净的光罩清洗装置,其无需使用到大量有机清洁液,不会产生大量待处理废液,可达维持环境安全性,且降低处理成本的功效。
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