[发明专利]一种可调谐波长半导体激光器

权利要求书

1.一种可调谐波长半导体激光器，包括一段提供增益的半导体有源区、一段进行相位调节的无源波导区以及一段含有取样布拉格光栅的无源波导光栅区，取样布拉格光栅反射谱为梳状反射谱，其特征在于：有源区、波导区以及光栅区依序纵向相连，各区分别具有电极，在有源区中，有一部分端面镀有反射膜，同时光栅区的端面镀有低反射膜，其中有源区电极用于有源区电流注入，波导区电极及光栅区电极用于对波导进行电流注入或者通过加热的方式改变波导区波导及光栅区波导的折射率；取样布拉格光栅包括布拉格中心波长，有源区包括增益峰，布拉格中心波长远离有源区增益峰，布拉格中心波长在增益峰短波方向，或者在增益峰长波长方向。

2.如权利要求1所述的可调谐波长半导体激光器，其特征在于：有源区、波导区以及光栅区之间的连接为直接耦合连接，或者为通过透镜通过空间光路连接。

3.如权利要求1所述的可调谐波长半导体激光器，其特征在于：布拉格中心波长与有源区增益峰相差大于50nm，以此避免激光器在布拉格中心波长处激射。

4.如权利要求3所述的可调谐波长半导体激光器，其特征在于：取样布拉格光栅的取样周期为P，通过取样布拉格光栅形成梳状反射谱，其中+1或-1级反射峰处于有源区增益带宽内，取样布拉格光栅+1级反射峰或-1级反射峰与布拉格中心波长的间距由取样周期P决定。

5.如权利要求4所述的可调谐波长半导体激光器，其特征在于：有源区包含增益介质的半导体材料，其波导结构是脊型结构，或者是条形结构。

6.如权利要求5所述的可调谐波长半导体激光器，其特征在于：波导区以及光栅区与有源区采用同一半导体材料体系单片集成，或者与有源区采用不同的半导体材料体系混合集成。

7.如权利要求6所述的可调谐波长半导体激光器，其特征在于：组成光栅区与波导区采用的材料是三五族半导体材料，或者是硅材料、二氧化硅材料、氮化硅材料及聚合物材料。