[发明专利]具有绝缘沟槽的IC及相关的方法

权利要求书

1.一种集成电路(IC)，包括：

半导体衬底，具有形成在所述半导体衬底中的电路；

至少一个互连层，在所述半导体衬底上方并且包括耦合到所述电路的天线；

密封环，在所述至少一个互连层的外围周围；以及

至少一个电绝缘沟槽，竖直地延伸到所述半导体衬底中并且从所述半导体衬底的相邻 的一侧向所述半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过所述半导体衬底。

2.根据权利要求1所述的IC，其中所述至少一个电绝缘沟槽从所述半导体衬底的一侧 边缘向另一侧边缘横向地延伸。

3.根据权利要求1所述的IC，其中所述电路包括收发器电路以及耦合到所述收发器电 路的压力传感器电路。

4.根据权利要求1所述的IC，其中所述至少一个电绝缘沟槽包括多个电绝缘沟槽。

5.根据权利要求1所述的IC，其中所述至少一个电绝缘沟槽包括多个交叉的电绝缘沟 槽。

6.根据权利要求1所述的IC，其中所述至少一个电绝缘沟槽从所述半导体衬底的顶表 面竖直地延伸。

7.根据权利要求1所述的IC，其中所述至少一个电绝缘沟槽从所述半导体衬底的底表 面竖直地延伸。

8.根据权利要求1所述的IC，其中所述至少一个电绝缘沟槽具有锥形侧壁。

9.根据权利要求1所述的IC，其中所述密封环包括连续的电传导环。

10.根据权利要求1所述的IC，其中所述密封环包括非连续的电传导环。

11.根据权利要求1所述的IC，还包括在所述至少一个互连层之上的钝化层。

12.一种集成电路(IC)，包括：

半导体衬底，具有形成在所述半导体衬底中的电路，所述电路包括收发器电路以及耦 合到所述收发器电路的压力传感器电路；

至少一个互连层，在所述半导体衬底上方并且包括耦合到所述收发器电路的天线；

密封环，在所述至少一个互连层的外围周围；以及

至少一个电绝缘沟槽，竖直地延伸到所述半导体衬底中并且从所述半导体衬底的一侧 边缘向所述半导体衬底的另一侧边缘横向地延伸跨过所述半导体衬底。

13.根据权利要求12所述的IC，其中所述至少一个电绝缘沟槽包括多个电绝缘沟槽。

14.根据权利要求12所述的IC，其中所述至少一个电绝缘沟槽包括多个交叉的电绝缘 沟槽。

15.根据权利要求12所述的IC，其中所述至少一个电绝缘沟槽从所述半导体衬底的顶 表面竖直地延伸。

16.根据权利要求12所述的IC，其中所述至少一个电绝缘沟槽从所述半导体衬底的底 表面竖直地延伸。

17.一种制作集成电路(IC)的方法，包括：

形成至少一个互连层，所述至少一个互连层在半导体衬底上方并且包括耦合到所述半 导体衬底中的电路的天线；

在所述至少一个互连层的外围周围形成密封环；以及

形成至少一个电绝缘沟槽，所述至少一个电绝缘沟槽竖直地延伸到所述半导体衬底中 并且从所述半导体衬底的相邻的一侧向所述半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过 所述半导体衬底。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述至少一个电绝缘沟槽从所述半导体衬底的 一侧边缘向另一侧边缘横向地延伸。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述电路包括收发器电路以及耦合到所述收发 器电路的压力传感器电路。

20.根据权利要求17所述的方法，其中所述至少一个电绝缘沟槽包括多个电绝缘沟槽。

21.根据权利要求17所述的方法，其中所述至少一个电绝缘沟槽包括多个交叉的电绝 缘沟槽。