[发明专利]显示装置

说明书

本发明涉及一种显示装置，其技术课题为：当像素尺寸变小时，接触孔部相对于像素面积的面积比例变高且开口率变低，其中，接触孔部用于将像素电极与薄膜晶体管的漏电极连接起来。显示装置具有第一漏电极及第二漏电极、有机绝缘膜、形成在有机绝缘膜上的无机绝缘膜、形成在无机绝缘膜上的第一像素电极及第二像素电极。有机绝缘膜具有跨设于第一漏电极与第二漏电极的有机绝缘膜开口部。覆盖有机绝缘膜开口部的无机绝缘膜具有第一无机绝缘膜开口部及第二无机绝缘膜开口部。第一像素电极经由第一无机绝缘膜开口部而与第一漏电极连接。第二像素电极经由第二无机绝缘膜开口部而与第二漏电极连接。

技术领域

本发明涉及显示装置，例如能够适用于具有将像素电极与源/漏电极连接起来的接触孔的显示装置。

背景技术

近几年，在面向智能手机或平板电脑(tablet)的液晶显示装置中高分辨率化得到发展，液晶显示装置的像素尺寸被精细化，且400ppi(pixels per inch:每英寸像素数)以上的面板被产品化，也开发着600ppi等级的液晶显示装置。

作为与本发明相关的现有技术，存在日本特开2013-003200号公报或者与此对应的美国专利申请公开2012/0314169号说明书。

现有技术文献

专利文献

专利文献1日本特开2013-003200号公报

专利文献2美国专利申请公开2012/0314169号说明书

发明内容

当像素尺寸变小时，黑矩阵(覆盖栅极布线、信号布线、及用于将像素电极与薄膜晶体管(TFT)的漏电极连接起来的接触孔部等的遮光层)相对于像素面积的面积比例变高，开口率变低。因此，在高精细的液晶显示装置中，透射率变低，所以需要使背光源更明亮，功耗变大。此外，也存在将与像素电极连接的TFT的电极称为源电极的情况，但在本说明书中，称为漏电极。

其它的课题与新的特征将从本发明的记述及附图得以明确。

简单地说明本发明之中的代表性的概要如下。

即，显示装置具有阵列基板和对置基板。上述阵列基板具有第一漏电极及第二漏电极、信号线、形成在上述信号线上的有机绝缘膜、形成在上述有机绝缘膜上的无机绝缘膜、形成在上述无机绝缘膜上的第一像素电极及第二像素电极。上述有机绝缘膜具有跨设于上述第一漏电极和上述第二漏电极的有机绝缘膜开口部。覆盖上述有机绝缘膜开口部的上述无机绝缘膜具有第一无机绝缘膜开口部及第二无机绝缘膜开口部。上述第一像素电极经由上述第一无机绝缘膜开口部而与上述第一漏电极连接。上述第二像素电极经由上述第二无机绝缘膜开口部而与上述第二漏电极连接。

附图说明

图1是用于说明比较例1涉及的显示装置的俯视图。

图2是用于说明比较例1涉及的显示装置的剖视图。

图3是用于说明实施方式涉及的显示装置的俯视图。

图4是用于说明实施方式涉及的显示装置的剖视图。

图5是用于说明实施例1涉及的显示装置的俯视图。

图6是用于说明实施例1涉及的显示装置的剖视图。

图7是用于说明实施例1涉及的显示装置的剖视图。

图8是用于说明实施例1涉及的显示装置的俯视图。

图9是用于说明实施例1涉及的显示装置的剖视图。

图10是用于说明实施例2涉及的显示装置的俯视图。

图11是用于说明比较例2涉及的显示装置的俯视图。