[发明专利]一种半成品电池片抗PID性能的测试方法在审
申请号: | 201510794622.0 | 申请日: | 2015-11-18 |
公开(公告)号: | CN105470346A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 侯玥玥;蒋方丹;金井升;金浩 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半成品 电池 pid 性能 测试 方法 | ||
1.一种半成品电池片抗PID性能的测试方法,其特征在于,包括:
将半成品电池片水平放置;
在所述半成品电池片的表面上的多个位置点滴上去离子水;
观察所述去离子水自然扩散之后的形态;
根据所述形态判断所述半成品电池片的抗PID性能。
2.根据权利要求1所述的半成品电池片抗PID性能的测试方法,其特征在于,在所述半成品电池片的表面上的多个位置点滴上去离子水为:
利用滴管吸取至少1毫升去离子水,在所述半成品电池片的表面上的多个位置点以上1厘米的位置滴上所述去离子水。
3.根据权利要求2所述的半成品电池片抗PID性能的测试方法,其特征在于,在所述半成品电池片的表面上的多个位置点滴上去离子水为:
在所述半成品电池片的表面上的25个位置点滴上去离子水,且所述25个位置点在所述半成品电池片的表面均匀分布。
4.根据权利要求3所述的半成品电池片抗PID性能的测试方法,其特征在于,在所述半成品电池片的表面上的多个位置点滴上去离子水为:
在所述半成品电池片的表面上的每个所述位置点滴一滴去离子水,且所述一滴去离子水的体积范围为0.04毫升至0.05毫升。
5.根据权利要求1-4任一项所述的半成品电池片抗PID性能的测试方法,其特征在于,所述根据所述形态判断所述半成品电池片的抗PID性能为:
当所述去离子水的水滴直径不变,则判断所述半成品电池片的抗PID性能不合格。
6.根据权利要求5所述的半成品电池片抗PID性能的测试方法,其特征在于,所述根据所述形态判断所述半成品电池片的抗PID性能为:
当所述去离子水的水滴具有扩散形态,且所述水滴的边缘为锯齿状,则判断所述半成品电池片的抗PID性能不合格。
7.根据权利要求6所述的半成品电池片抗PID性能的测试方法,其特征在于,所述根据所述形态判断所述半成品电池片的抗PID性能为:
当所述去离子水的水滴具有扩散形态,且在5秒至10秒之后,各个所述位置点的所述水滴的直径不同,则判断所述半成品电池片的抗PID性能不合格。
8.根据权利要求7所述的半成品电池片抗PID性能的测试方法,其特征在于,所述根据所述形态判断所述半成品电池片的抗PID性能为:
当各个所述位置点的所述水滴具有扩散形态,且扩散直径相同,边缘平滑,则判断所述半成品电池片的抗PID性能合格。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的