[发明专利]一种具有形状记忆效应的NxMy高熵合金及其制备方法在审
申请号: | 201510788841.8 | 申请日: | 2015-11-17 |
公开(公告)号: | CN105296836A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 吴渊;张垚;张飞;王辉;刘雄军;吕昭平 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C22C30/00 | 分类号: | C22C30/00;C22C1/02 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 形状 记忆 效应 sub 合金 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有形状记忆效应的NxMy高熵合金,其特征在于,N和M的原子百分比含量为45%~55%,
N要求为Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、Mo、W中的二种或二种以上,且每种元素的含量大于等于5%,小于等于35%;M要求为V、Mn、Fe、Co、Ni、Cr、Cu、Zn元素中的二种或二种以上,且每种元素的含量大于等于5%,小于等于35%。
2.如权利要求1所述一种具有形状记忆效应NxMy高熵合金的制备方法,其特征在于包括以下几个步骤:
步骤一:取45%~55%的M加入真空电弧炉,取45%~55%的N加入真空电弧熔炼炉,置于M上层,将M覆盖,冶炼时要求将熔点高的元素放在上层;
步骤二:打开电弧,先用小电弧将上层N元素烧红,之后将电流调大使N熔化后和下层M熔融在一起;
步骤三:再分多次将合金锭置于坩埚中,并与水平面呈20°~40°的夹角,反复熔炼4次及以上。
3.如权利要求2所述具有形状记忆效应NxMy高熵合金的制备方法,其特征在于:NxMy高熵合金在-196到600摄氏度的温度范围内存在形状记忆效应,同时具有高熵合金的特性;该合金为金相结构主要为95%以上的体心立方单相固溶体和少量金属间化合物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学,未经北京科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510788841.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种卷状半固化片存放装置
- 下一篇:一种印制电路板用粘尘辘存放装置