[发明专利]基于峰值法磁通门技术的探测磁致应变量的探头及方法有效
| 申请号: | 201510682421.1 | 申请日: | 2015-10-21 |
| 公开(公告)号: | CN105259523B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
| 发明(设计)人: | 詹志伟;陈晓玟;杨东浩;林小龙;伍文冬;谢致薇;陈先朝;杨元政 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
| 主分类号: | G01R33/18 | 分类号: | G01R33/18 |
| 代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林丽明 |
| 地址: | 510006 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 胶管 检测线圈 激励线圈 固定件 应变量 磁致 自由水平移动 漆包铜线 磁通门 峰值法 探头 磁芯 基板 绕制 探测 磁控形状记忆合金 应变电阻 穿过 检测 制造 | ||
本发明是一种基于峰值法磁通门技术的探测磁致应变量的探头及其制造方法。包括有基板、激励线圈、磁芯主轴、检测线圈,其中漆包铜线绕制在激励线圈胶管上形成激励线圈,漆包铜线绕制在检测线圈胶管上形成检测线圈,固定件固定在基板上,激励线圈胶管的一端固定在固定件上,激励线圈胶管的这一端不能运动,检测线圈胶管的一端穿过固定件,检测线圈胶管的这一端能自由水平移动,磁芯主轴的两端分别插入激励线圈胶管的另一端和检测线圈胶管的另一端,且检测线圈胶管能自由水平移动的这一端与磁控形状记忆合金连接。本发明克服了应变电阻仪不可重复性的缺陷,提高了检测磁致应变量的精度。
技术领域
本发明是一种基于峰值法磁通门技术的探测磁致应变量的探头及方法,属于基于峰值法磁通门技术的探测磁致应变量的探头及方法的创新技术。
背景技术
磁性形状记忆合金最大的磁致应变为9.4%,最高响应频率可达5000Hz。为了进一步探究磁控形状记忆合金在磁场控制下的磁性形状记忆效应,我们需要探测MSME在磁场控制下的微小形状形变。而目前,仅靠应变电阻仪来探测MSME的微小形变有所限制。其一、应变电阻仪的探测精确度有限。其二、控制MSME的外部磁场可能对应变电阻片有一定的影响。其三、应变电阻仪不能实时地探测形状记忆合金的微小形变。其四、应变片不可重复性,造成浪费。
发明内容
本发明的目的在于考虑上述问题而提供一种基于峰值法磁通门技术的探测磁致应变量的探头。本发明可以在存在控制磁场的条件下,实时地探测磁控形状记忆合金的应变量,且本发明探测精确度高,方便实用。
本发明的另一目的在于提供一种基于峰值法磁通门技术的探测磁致应变量的探头的制造方法。本发明操作简单,成本低。
本发明的技术方案是:本发明的基于峰值法磁通门技术的探测磁致应变量的探头,包括有基板、激励线圈、磁芯主轴、检测线圈,其中漆包铜线绕制在激励线圈胶管上形成激励线圈,漆包铜线绕制在检测线圈胶管上形成检测线圈,固定件固定在基板上,激励线圈胶管的一端固定在固定件上,激励线圈胶管的这一端不能运动,检测线圈胶管的一端穿过固定件,检测线圈胶管的这一端能自由水平移动,磁芯主轴的两端分别插入激励线圈胶管的另一端和检测线圈胶管的另一端,且检测线圈胶管能自由水平移动的这一端与磁控形状记忆合金连接。
本发明基于峰值法磁通门技术的探测磁致应变量的探头的制造方法,包括如下步骤:
1)在基板的两边固定两个固定件;
2)将绕制了漆包铜线的激励线圈胶管的一端和绕制了漆包铜线的检测线圈胶管的一端分别穿插入两个固定件中,并将激励线圈胶管固定在固定件上;
3)再将磁芯主轴的两端穿插入激励线圈胶管的另一端和检测线圈胶管的另一端中,并使磁芯主轴的一端与激励线圈胶管粘合;
4)将检测线圈胶管与磁控形状记忆合金相连接,并且检测线圈胶管伴随磁控形状记忆合金的磁致应变能水平自由移动。
本发明采用由多层铁基非晶合金箔带叠合而成的磁芯,穿插入分别绕制了激励线圈和检测线圈的胶管中,检测线圈的胶管与磁控形状记忆合金相连接,可随记忆合金的形状变化在基板上移动;激励线圈的胶管通过固定端固定于基板上,组合形成单磁芯双绕组的用于探测磁控形状记忆合金的磁致应变量的磁通门探头。本发明克服在磁场控制下,不能准确测量记忆合金应变量的困难。克服了应变电阻仪不可重复性,低精度,易受控制磁场影响的缺点,提高了检测磁致应变量的精度。本发明是一种设计巧妙,性能优良,方便实用的基于峰值法磁通门技术的探测磁致应变量的探头。本发明的制造方法操作简单,方便实用,成本低。
附图说明
图1为本发明探头的结构示意图;
图2为本发明中磁芯主轴的结构示意图。
具体实施方式
实施例:
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