[发明专利]一种全地上节能甘薯贮藏大棚及其应用在审
申请号: | 201510681750.4 | 申请日: | 2015-10-21 |
公开(公告)号: | CN105220912A | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
发明(设计)人: | 王玉民;吴伟;丁斌;王朋成;魏磊;向敏;刘西岭;王元 | 申请(专利权)人: | 亳州师范高等专科学校 |
主分类号: | E04H5/08 | 分类号: | E04H5/08;A01F25/00 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 236800 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 地上 节能 甘薯 贮藏 大棚 及其 应用 | ||
技术领域
本发明涉及农业技术领域,尤其涉及一种全地上节能甘薯贮藏大棚及其应用。
背景技术
甘薯是黄淮地区传统种植作物,其栽培技术简单、产量高,经济效益好。但由于甘薯块根皮薄多汁,贮藏期间极易腐烂,且种苗带病菌严重,致使品质和抗性下降。近百年来,甘薯贮藏方法有地下窖藏、半地下窖藏和高温大屋贮藏等。地下窖藏,因窖小,贮藏数量有限;窖内空气不流通,极易使薯块缺氧窒息烂窖;窖温无法调控,遇到严寒的年份,薯块易受冻;窖内湿度大,薯块易湿烂,特别是地下水位高的地区,此法无法使用。半地下窖藏,虽一定程度上解决了窖内缺氧的问题,但带来了保温效果差、冻害坏烂率高的难题。高温大屋窖藏,虽能有效地控制贮藏种薯的坏烂,但建造成本太高,推广难度大。加之农民一家一户的贮藏种薯技术不过关,坏烂严重,造成种薯价高,种植规模锐减。
发明内容
为解决上述技术缺陷,本发明目的是提供一种全地上节能甘薯贮藏大棚及其应用,结构简单、价格低廉,温度和湿度调控灵活、便于操作,节能环保,适用性广、贮藏量大,经久耐用、性能安全可靠,便于推广应用。
本发明的方案如下:一种全地上节能甘薯贮藏大棚,包括缓冲间、炉灶和贮藏大棚;
所述贮藏大棚包括棚顶和大棚主体;所述大棚主体包括大棚前墙、大棚后墙、大棚山墙和大棚棚顶支架,大棚前墙的高度低于大棚后墙的高度;所述大棚棚顶支架包括横梁和支柱;若干组支柱和横梁连接成承重的大棚棚顶支架主体;所述大棚棚顶支架主体四周和大棚前墙、大棚后墙、两侧的大棚山墙连接成大棚主体;所述大棚主体上设置有棚顶;
所述棚顶上设置有烟囱;所述贮藏大棚内设置有火道,火道两端和设置在贮藏大棚外的炉灶连接;所述烟囱和火道连通;
所述缓冲间通过大棚入口和贮藏大棚连通;所述大棚前墙的墙体近地面处和大棚后墙的墙体近棚顶处均设置有通风口。
所述大棚棚顶支架内设置有若干根从大棚前墙上端连接到大棚后墙上端的弧形拱杆。
所述棚顶还包括设置在贮藏大棚上表面的三层塑料薄膜和设置在每两层塑料薄膜之间的草苫;最上层的塑料薄膜上均匀设置有若干组压膜线。
所述拱杆上设置有若干组与横梁平行的铁丝,铁丝的自由端通过绞合后固定在地面上。
所述通风口上设置有草帘。
所述大棚前墙、大棚后墙和大棚山墙均为砖混内、外墙结构;内墙和外墙之间的夹层中填充有隔热炉渣。
所述火道的两壁为6cm厚的砖体,火道上面设置有瓦片。
本发明还提供了该全地上节能甘薯贮藏大棚的应用:具体应用步骤如下:
步骤一:应用时,将甘薯先使用保鲜剂处理;
步骤二:将步骤一处理后的甘薯进行袋装保存,放入甘薯贮藏大棚;
步骤三:对步骤二处理后的甘薯分三个阶段进行贮藏:
第一阶段,入棚到甘薯休眠,历时20天左右,这一阶段主要是愈伤组织形成,环境条件是高温高湿,调控方法是贮藏大棚草苫暂不压严实,且仅使用最下面的一层塑料薄膜和一层草苫,草苫白天卷起,晚上覆盖;甘薯入棚后,夜晚或白天光照不足时,用炉灶的灶火加温,迅速把棚温升到38~40℃,堆温36~38℃,保持72小时;然后暂停灶火,昼夜封盖草苫,迅速降温至11~12℃,使甘薯转入休眠期;在这一阶段随着温度的升高,相对湿度下降,氧气不足,调控方法用喷雾器增湿,打开通风口增氧;在入棚升温阶段,常出现棚内温度不均现象,甘薯堆放要远离火道80~100cm,近火道处草苫保护,大棚对角各安放一个换气扇,搅动棚内的空气对流;
第二阶段,甘薯转入休眠,按棚顶结构覆盖严实三层塑料薄膜和两层草苫,最外层覆盖的薄膜不得破损漏水;根据棚内、堆内温度、湿度,开关通风口,温度控制在10~13℃,湿度85~90%;
第三阶段,等立春以后,气温回升,控制棚内的温度和湿度,白天关闭通风口,夜晚通风降温,直至甘薯出棚。
本发明装置设计合理,结构简单、价格低廉,温度和湿度调控灵活、便于操作,节能环保,适用性广、贮藏量大,通过该应用步骤可以对甘薯进行贮藏,经久耐用、性能安全可靠,便于推广应用。
附图说明
图1为本发明的结构示意图;
图2为本发明大棚贮藏室剖视的部分结构示意图;
图3为本发明大棚的墙体及贮藏室俯视图;
图4为本发明H处局部放大示意图;
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