[发明专利]一种双电源供电及断电时序控制装置和方法在审
申请号: | 201510660897.5 | 申请日: | 2015-10-14 |
公开(公告)号: | CN105182833A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 邹勇军;韩雷 | 申请(专利权)人: | 基康仪器股份有限公司 |
主分类号: | G05B19/04 | 分类号: | G05B19/04 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 高丽萍 |
地址: | 102488 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双电源 供电 断电 时序 控制 装置 方法 | ||
1.一种双电源供电及断电时序控制装置,其特征在于,包括PMOS场效应管、NMOS场效应管、第一NPN三极管、第二NPN三极管、PNP三极管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第三电容和第四电容,
所述PMOS场效应管为正电源的控制主开关,PMOS场效应管的源极连接正电源,栅极连接第一NPN三极管的集电极,漏极连接正电源输出;所述NMOS场效应管为负电源的控制主开关,NMOS场效应管的源极连接负电源,栅极连接PNP三极管的集电极,漏极连接负电源输出;所述第一NPN三极管的基极连接电源开关控制信号线,发射极接地;所述PNP三极管的基极与第二NPN三极管的集电极相连,PNP三极管的发射极同时连接第一电阻的一端和第二电阻的一端,所述第一电阻的另一端接地,所述第二电阻的另一端接正电源输出;所述第二NPN三极管的基极连接电源开关控制信号线,发射极接地;
所述第一电容设置于PMOS场效应管的源极和栅极之间,所述第二电容设置于PMOS场效应管的栅极和漏极之间,所述第三电容设置于NMOS场效应管的源极和栅极之间,所述第四电容设置于NMOS场效应管的栅极和漏极之间。
2.根据权利要求1所述的双电源供电及断电时序控制装置,其特征在于,还包括第三电阻,所述第三电阻与第一电容并联设置于PMOS场效应管的源极和栅极之间。
3.根据权利要求1或2所述的双电源供电及断电时序控制装置,其特征在于,还包括第四电阻和第五电阻,所述第一NPN三极管的基极通过第四电阻连接电源开关控制信号线,所述第一NPN三极管的基极还连接第五电阻的一端,所述第五电阻的另一端接地。
4.根据权利要求3所述的双电源供电及断电时序控制装置,其特征在于,还包括第六电阻和第七电阻,所述第一NPN三极管的发射极连接第六电阻后再接地,所述第一NPN三极管的发射极还连接第七电阻的一端,所述第七电阻的另一端连接负电源输出。
5.根据权利要求1或2所述的双电源供电及断电时序控制装置,其特征在于,还包括第八电阻,所述第八电阻与第三电容并联于NMOS场效应管的源极和栅极之间。
6.根据权利要求1或2所述的双电源供电及断电时序控制装置,其特征在于,还包括第九电阻,所述第二NPN三极管的基极通过第九电阻连接电源开关控制信号线。
7.一种双电源供电及断电时序控制方法,其特征在于,采用PMOS场效应管为正电源的控制主开关,利用第一NPN三极管和第一组电容控制PMOS场效应管的栅极以及控制正电源的开通与断开;采用NMOS场效应管为负电源的控制主开关,利用PNP三极管和第二组电容控制NMOS场效应管的栅极以及控制负电源开通与断开,在电源开关控制信号与PNP三极管之间采用第二NPN三极管;
开通供电时,电源开关控制信号使第一NPN三极管导通并向第一组电容充电以增大PMOS场效应管的源—栅电压使PMOS场效应管导通,从而建立正电源输出电压;电源开关控制信号同时控制第二NPN三极管导通,在建立的正电源电压达到开启负电源阈值时,PNP三极管导通并向第二组电容充电以增大NMOS场效应管的源—栅电压使NMOS场效应管导通,从而建立负电源输出电压;
关断供电时,电源开关控制信号使第二NPN三极管截止进而PNP三极管截止,第二组电容组放电以降低NMOS场效应管的源—栅电压使NMOS场效应管关断,负电源输出电压逐渐回升至零;电源开关控制信号同时控制第一NPN三极管保持导通进而PMOS场效应管保持导通以维持正电源输出电压,在负电源输出电压逐渐回升至零时第一NPN三极管截止,第一组电容放电以降低PMOS场效应管的源—栅电压使PMOS场效应管关断,正电源输出电压逐渐归零。
8.根据权利要求7所述的双电源供电及断电时序控制方法,其特征在于,利用第一NPN三极管和第一组电容与第一组电阻配合工作以控制PMOS场效应管的栅极以及控制正电源的开通与断开,并限制正电源开通瞬间的电流冲击;利用PNP三极管和第二组电容与第二组电容配合工作以控制NMOS场效应管的栅极以及控制负电源开通与断开,并限制负电源开通瞬间的电流冲击。
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