[发明专利]晶圆图案化制程

说明书

本发明提供一种晶圆图案化制程，包括：提供一晶圆，具有多个刻痕，其分别位于晶圆的边缘；使用一曝光机，并根据所述刻痕中的第一刻痕为参考点，以执行第一次曝光操作；根据第一次曝光结果决定一转动角度，并执行一转动操作；以及对晶圆执行第二次曝光操作。因此，本发明在晶圆布局上，同时可达到制程的简易性，还可减少制程的成本并增加制程的宽容度。

技术领域

本发明涉及一种半导体制程，尤其涉及一种简化曝光操作的晶圆图案化制程。

背景技术

对于先进半导体制程中，由于设计法则(design rule)及临界尺寸(criticaldimension)微缩，特别是动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)具有大面积阵列结构的集成电路组合，常为了微缩存储单元面积同时避开阻挡层或增加与底层硅接触面积(Sicon contact area)，而需要一些层别需要特别的斜角度(tilt)或弯曲(wiggle shape)的设计。

然而，特定斜角度的图案微影(lithograohy)成像会增加许多的困难及制程裕度(process window)的考量。首先，照光须制定特殊的照明模式设计，或是曝光机需配备高阶的照明模块。接着，光学邻近修正术(optical proximity correction，OPC)处理的部份，其单元处理时间较长及困难度较高，其阵列边缘需多次最佳化调整并特别处理。再来，掩膜制造上，由于掩膜读写时间大幅增加，进而导致掩膜制造成本居高不下及掩膜的关键尺寸均匀度(critical dimension uniformity，CDU)控制不易。最后导致制程宽容度不佳及线性图样边界较为粗糙等问题。因此，如何简化此类特殊曝光图样所可能造成的制程问题，对于微影制程是一个重要课题。

发明内容

本发明提出一种晶圆图案化制程，其主要是采用不同掩膜，并通过控制晶圆或掩膜的转动角度来实现特殊角度的曝光应用，在晶圆布局(layout)上，同时可达到制程的简易性，还可减少制程之的成本并增加制程的宽容度。

本发明提供一种晶圆图案化制程，包括：提供一晶圆，其具有多个刻痕，其分别位于晶圆的边缘；使用一曝光机，并根据晶圆的所述刻痕中的第一刻痕为参考点，以执行第一次曝光操作；根据第一刻痕决定一转动角度，并执行一转动操作；以及对晶圆执行第二次曝光操作。

在本发明的一实施例中，上述的刻痕中的第一刻痕为参考点，以执行第一次曝光操作的步骤之前包括根据所述晶圆的第一刻痕决定一固定角度。

在本发明的一实施例中，根据上述的第一次曝光结果决定转动角度，以执行一转动操作的步骤包括将晶圆以所述固定角度为基准，旋转转动角度。

在本发明的一实施例中，旋转转动角度为顺时针方向转动或逆时针方向转动。

在本发明的一实施例中，根据上述的第一次曝光结果决定转动角度，以执行一转动操作的步骤包括将曝光机的一掩膜以所述固定角度为基准，旋转转动角度。

在本发明的一实施例中，旋转转动角度为顺时针方向转动或逆时针方向转动。

在本发明的一实施例中，上述的掩膜包括至少一图案，至少一图案包括方形、矩形、线形或其组合。

在本发明的一实施例中，执行上述的第一次曝光操作步骤之后，还包括进行一显影操作。

在本发明的一实施例中，进行上述的显影操作步骤之后，还包括进行一蚀刻操作。

基于上述，本发明所提出的一种晶圆图案化制程，通过不同掩膜，并控制晶圆或掩膜的转动角度来实现特殊角度的曝光应用，藉此可达到制程的简易性，还可减少制程之的成本并增加制程的宽容度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明