[发明专利]一种非易失性存储器写状态寄存器的方法

说明书

本发明公开了一种非易失性存储器写状态寄存器的方法。所述方法包括：步骤1、读取状态寄存器的原始数据；步骤2、判断用户发送数据和所述状原始数据是否相等，若是，结束写状态寄存器，否则执行步骤3；步骤3、判断所述原始数据是否全部为擦除数据，若是，对所述原始数据进行编程操作，否则执行步骤4；步骤4、判断所述原始数据是否全部为编程数据，若是，对所述原始数据进行擦除操作；否则对所述原始数据进行预编程操作和擦除操作，执行步骤5；步骤5、判断用户数据是否全部为擦除数据，若是，结束写状态寄存器，否则对所述状态寄存器进行编程操作，结束写状态寄存器。本发明提供的技术方案，节约写状态寄存器时间，延长状态寄存器使用寿命。

技术领域

本发明涉及非易失性存储器技术领域，尤其涉及一种非易失性存储器写状态寄存器的方法。

背景技术

半导体存储器包括易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器在断电时会丢失存储的内容。非易失性存储器即使在断电时也可以保持存储的内容。非易失性存储器包括只读存储器(ROM，Read-only Memory)、可编程只读存储器(PROM，Programmable Red-Only Memory)、电可擦除只读存储器(EEPROM，Electrically Erasable ProgrammableRead-Only Memory)和闪存(Flash memory)。闪存存储器包括NOR(或非)Flash和NAND(与非)Flash。

非易失性存储器由存储阵列组成，每个存储阵列包括大量的存储单元，每个存储单元能够存放1位二进制数据(“0”或“1”)。存储器中的存储单元有一部分被用作为状态寄存器，用户通过发送写状态寄存器指令更新状态寄存器的数据值。以闪存中的NOR Flash为例，对NOR Flash中的状态寄存器进行写操作，可通过06H指令+01指令+数据来实现。

图1是现有技术中对非易失性存储器的状态寄存器进行写操作的流程示意图。参见图1，所述写操作具体包括如下步骤：

步骤S101：对状态寄存器进行预编程操作，将状态寄存器中所有存储单元的阈值电压都调整到编程单元的阈值范围内。

步骤S102：将编程好的编程单元进行擦除操作，每进行一次擦除操作都要进行擦除校验，如果校验失败再次进行擦除操作。

步骤S103：擦除成功后，利用用户发送的数据对状态寄存器中存储单元进行编程操作，每次编程操作都要进行编程校验，如果校验失败再次进行编程操作。

步骤S104：编程成功后，将状态寄存器中存储单元中的数据读出来，放到锁存器中，供芯片工作时使用。

由上述非易失性存储器状态寄存器的写操作流程可以看出，现有技术中，在软件实现中，会重复对寄存器中的存储单元进行编程和擦除操作，降低了写状态寄存器的整体操作速度，增加了对状态寄存器中存储单元的擦除和编程次数，缩短了状态寄存器的使用寿命，降低了产品品质。

发明内容

本发明实施例提供一种非易失性存储器写状态寄存器的方法，以实现节约写状态寄存器的时间以及延长状态寄存器的使用寿命。

本发明实施例提供了一种非易失性存储器写状态寄存器的方法，包括：

步骤1、读取状态寄存器的原始数据；

步骤2、判断用户发送的数据和所述状态寄存器的原始数据是否相等，若是，则结束写状态寄存器过程，否则执行步骤3；

步骤3、判断所述状态寄存器的原始数据是否全部为擦除数据，若是，则对所述状态寄存器的原始数据进行编程操作，否则执行步骤4；

步骤4、判断所述状态寄存器的原始数据是否全部为编程数据，若是，则对所述状态寄存器的原始数据进行擦除操作，否则对所述状态寄存器的原始数据依次进行预编程操作和擦除操作，执行步骤5；