[发明专利]一种提取BDS卫星电离层穿刺点电子浓度的新方法在审
申请号: | 201510611230.6 | 申请日: | 2015-09-22 |
公开(公告)号: | CN105182367A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 蔡成林;秦懿;李思敏;王京辉;王亮亮;刘昌盛;张炘;卢亚军 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | G01S19/07 | 分类号: | G01S19/07 |
代理公司: | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人: | 杨雪梅 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提取 bds 卫星 电离层 穿刺 电子 浓度 新方法 | ||
技术领域
本发明涉及北斗卫星导航系统(BDS),具体是一种提取BDS卫星电离层穿刺点电子浓度的新方法。
背景技术
电离层延迟误差是影响卫星导航定位精度最大的误差源,也是改善我国BDS卫星导航系统定位精度迫切需要解决的重要问题之一。国内外众多学者在这方面做了大量卓有成效的工作。双频接收机用户可以利用电离层延迟与信号频率的平方反比关系,采用双频组合方式削弱该影响,但该方法需考虑硬件延迟偏差。硬件延迟偏差是不同频率的信号在卫星或者接收机内部时延的偏差。在利用GNSS测量电离层延迟量时最大误差为系统的硬件延迟偏差。因此在进行单站电离层估计时必须顾及DCB的影响。目前国际上权威的GPS卫星/接收机DCB值是由IGS(InternationalGNSSService)利用全球200多个监测站连续观测解算所公布,但BDS卫星/接收机DCB尚无官方公布值。因此利用BDS卫星不能精确提取电离层穿刺点电子浓度。
发明内容
本发明的目的是提供一种提取BDS卫星电离层穿刺点电子浓度新方法。该方法根据BDS卫星难以精确提取电离层穿刺点电子浓度的特点,解决提取BDS卫星电离层穿刺点电子浓度的问题,解决BDS系统在我国区域电离层精确改正的问题。
本发明一种提取BDS卫星电离层穿刺点电子浓度新方法,根据电离层在小区域内具有良好的空间相关性,电离层穿刺点距离在100km内垂向电离层延迟差值处于0.2~0.5米范围的特点。搜索出电离层穿刺点距离在100km内的BDS与GPS卫星,利用双频数据提取搜索到的GPS卫星穿刺点电子浓度,将搜索到的BDS与GPS卫星电离层穿刺点电子浓度近似相等,获取BDS卫星电离层穿刺点的垂向电子浓度(VTEC),再通过倾斜因子转化为站-星斜向电离层含量(TEC)。
实现本发明目的的技术方案是:
一种提取BDS卫星电离层穿刺点电子浓度新方法,具体包括如下步骤:
(1)卫星电离层穿刺点位置及倾斜因子的解算
穿刺点纬度φpp=arcsin(sinφucosψpp+cosφusinψppcosAZ),穿刺点经度
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