[发明专利]三相不等截面的三芯柱半匝电抗器及其制造方法

权利要求书

1.一种三相不等截面的三芯柱半匝电抗器，包括A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱、两 个横轭铁以及分别套至于所述A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱上的线圈，所述A相铁芯 柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱依次间隔地连接于所述两个横轭铁芯之间，该两个横轭铁芯平行 间隔设置；所述A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱均包括层叠设置的硅钢片以及气隙块；其 特征在于，所述A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱的线圈电气匝数值分别依次为N、N+0.5、N +1，其原始横截面积依次分别为S1、S2、S3，所述A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱的磁通 密度相同；所述B相铁芯柱和C相铁芯柱的外侧壁上贴设有对应厚度的绝缘板，使得贴设绝 缘板之后的B相铁芯柱和C相铁芯柱的横截面积等于所述A相铁芯柱的原始横截面积。

2.根据权利要求1所述的一种三相不等截面的三芯柱半匝电抗器，其特征在于，所述B 相铁芯柱、C相铁芯柱外涂有用于粘结所述绝缘板的环氧胶。

3.根据权利要求2所述的一种三相不等截面的三芯柱半匝电抗器，其特征在于，该两个 横轭铁均呈长方体状。

4.一种三相不等截面的三芯柱半匝电抗器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、预设A相铁芯柱的线圈电气匝数值为N，根据A相铁芯柱原始横截面积S1、电气匝数N、 端电压U计算出所述A相铁芯柱的磁通密度Ba，Ba=U*10000/(4.44*f*N*S1)；

b、预设B相铁芯柱的线圈电气匝数值为N+0.5，根据其电气匝数值设定B相铁芯柱原始 截面积S2，使其与所述A相铁芯柱具有相同的磁通密度，则B相铁芯柱的原始截面积S2=U* 10000/(4.44*f*(N+0.5)*Ba)；

c、预设C相铁芯柱的线圈应电气匝数值为N+1，根据其电气匝数值的设定其原始横截 面积S3，使其与所述A相铁芯柱具有相同的磁通密度，则C相铁芯柱的原始截面积S3=U* 10000/(4.44*f*(N+1)*Ba)；

d、根据计算的各相铁芯柱的横截面积选取相应的铁芯柱，放置好各层硅钢片以及气隙 块；

e、在所述B相铁芯柱以及C相铁芯柱的外侧壁上贴设绝缘板，使得贴设所述绝缘板后的 B相铁芯柱以及C相铁芯柱的横截面积等于所述A相铁芯柱的原始横截面积；

f、分别给各相铁芯柱套入对应的线圈并将所述A相铁芯柱、B相铁芯柱以及C相铁芯柱 分别依次平行且间隔地连接至两个横轭，该两个横轭铁芯平行间隔设置。

g：对所述步骤f中得到成品进行真空浸漆及烘烤。