[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法

说明书

一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，提高等离子体处理的工艺稳定性，对具备环状框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理，等离子体处理装置具备：腔体，具有能减压的处理室；工艺气体供给部，向处理室供给工艺气体；减压机构，对处理室减压；等离子体激发装置，使处理室内产生等离子体；台，载置传送载体并设置于腔体内；冷却机构，对台冷却；罩体，覆盖载置于台上的传送载体的保持片的一部分和框架的至少一部分，具有使基板的至少一部分露出到等离子体的窗部；矫正部件，将载置于台上的传送载体的框架向台推压来矫正所述框架的歪斜；移动装置，使矫正部件相对于框架的相对位置移动，矫正部件设置为独立于罩体并被罩体覆盖。

技术领域

本发明涉及用于对具备环状框架和保持片的传送载体所保持的基板进行等离子体处理的装置及方法。

背景技术

在以具备环状框架和保持片的传送载体所保持的基板为处理对象的等离子体处理装置中，需要抑制等离子体对框架及保持片的热损伤。其理由是因为包含树脂材料的保持片被加热时会产生保持片延伸(变形)等问题。因此，在专利文献1中提出了一种利用中央部具有窗部的中空圆形的罩体来覆盖框架和保持片的方案。由此，能够遮盖框架和保持片不受等离子体伤害。另一方面，从窗部露出的基板能够被等离子体处理。

现有技术文献

专利文献：

专利文献1：日本特开2009-94436号公报

发明内容

保持基板的传送载体被传入等离子体处理装置所具备的腔体内，载置于在腔体内设置的台上。通常来说，在台上设有冷却机构，能够抑制等离子体对传送载体的热损伤。

具备环状框架和保持片的传送载体不仅用于进行等离子体处理的情况，还用于通过利用刮刀或激光的现有的切割方法来处理基板的情况。现有的切割方法不需要考虑等离子体导致的加热，并且在机械性地矫正了框架的歪斜的环境下执行。因此，不会产生框架歪斜的问题。

本发明的目的在于在对具备环状框架和保持片的传送载体所保持的基板进行等离子体处理的情况下，提高工艺的稳定性。即，本发明的一个方式涉及一种等离子体处理装置，对具备环状框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理，其中，所述等离子体处理装置具备：腔体，具有能够减压的处理室；工艺气体供给部，向所述处理室供给工艺气体；减压机构，对所述处理室进行减压；等离子体激发装置，使所述处理室内产生等离子体；台，载置有所述传送载体并设置于所述腔体内；冷却机构，用于对所述台进行冷却；罩体，覆盖载置于所述台上的所述传送载体的所述保持片的一部分和所述框架的至少一部分，并且具有使所述基板的至少一部分露出到等离子体的窗部；矫正部件，将载置于所述台上的所述传送载体的所述框架向所述台推压来矫正所述框架的歪斜；及移动装置，使所述矫正部件相对于所述框架的相对位置移动，所述矫正部件以独立于所述罩体并被所述罩体覆盖的方式设置。

本发明的另一方式涉及一种等离子体处理方法，对具备环状框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理，其中，所述等离子体处理方法具备如下工序：(i)将保持有所述基板的所述传送载体传入等离子体处理装置所具备的腔体内，并载置于设置在所述腔体内的具备冷却机构的台上；(ii)通过具备使所述基板的至少一部分露出到等离子体的窗部的罩体，覆盖载置于所述台上的所述传送载体的所述保持片的一部分和所述框架的至少一部分；(iii)通过以与所述罩体独立并被所述罩体覆盖的方式设置的矫正部件，将载置于所述台上的所述传送载体的所述框架向所述台推压，矫正所述框架的歪斜；及(iv)使所述腔体内产生等离子体，经由所述窗部对所述基板实施等离子体处理。

根据本发明，能够抑制环状框架的歪斜导致的异常放电、传送载体的冷却不足。因此，能够提高等离子体处理的工艺稳定性。

附图说明

图1是概念性地表示本发明的第一实施方式涉及的等离子体处理装置的第一状态的剖视图。