[发明专利]薄膜晶体管阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

多条数据线；

多条扫描线，分别与该多条数据线相交；

一像素矩阵，包括多个以矩阵方式排列的像素，每个像素包括排列呈一两行两列的矩阵中的多个子像素，每一该像素内的多个子像素包括颜色不同的第一色子像素、第二色子像素、第三色子像素以及第四色子像素，所述第一色子像素以及所述第二色子像素排列在矩阵的同一行，所述第三色子像素与所述第四色子像素排列在相邻的另一行，所述第一色子像素与所述第四色子像素排列在矩阵的同一列，而所述第二色子像素和所述第三色子像素则排列在相邻的另一列；

每两列所述子像素之间设有一对数据线，每一所述像素中的所述第一色子像素和所述第二色子像素与同一所述扫描线及与各自相邻的数据线电性连接，而所述第三色子像素和所述第四色子像素则与另一相同扫描线及与各自相邻的数据线电性连接；

沿该多条数据线延伸方向，每两条所述扫描线构成一组，该多组扫描线依序被扫描且每组所述扫描线中的扫描线同步被扫描，各子像素通过列反转的方式被驱动，与同一数据线电连接的子像素具有相同的极性；

排列在同一行的相邻像素的同色子像素具有相反的极性，排列在同一列的相邻像素的同色子像素具有相同的极性。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，当对该多条数据线施加极性信号时沿所述多条扫描线延伸方向排列的该多条数据线依次被施加一以“+，-，-，+，-，+，+，-”为最小重复单元的电极性信号。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，沿所述多条扫描线延伸的方向，依序将每二相邻的像素定义为一像素组，与每一像素组内的各子像素连接的多条所述数据线依序包括一第一数据线、一第一对数据线组、一第二对数据线组、一第三对数据线组及一第二数据线，该第一数据线与相邻的所述第二色子像素连接，该第一对数据线组分别与相邻的所述第三色子像素及所述第一色子像素连接，该第二对数据线组分别与相邻的所述第四色子像素及所述第二色子像素连接，该第三对数据线组分别与相邻的所述第三色子像素及所述第一色子像素连接，该第二数据线与相邻的所述第四色子像素连接。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，二相邻数据线的极性相反。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，沿所述多条扫描线延伸的方向，依序将每二相邻的像素定义为一像素组，与每一像素组内的各子像素连接的多条所述数据线依序包括一第一数据线、一第一对数据线组、一第二对数据线组、一第三对数据线组及一第二数据线，该第一数据线与相邻的所述第二色子像素连接，该第一对数据线组分别与相邻的所述第三色子像素及所述第四色子像素连接，该第二对数据线组分别与相邻的所述第一色子像素及所述第三色子像素连接，该第三对数据线组分别与相邻的所述第二色子像素及所述第一色子像素连接，该第二数据线与相邻的所述第四色子像素连接。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，当对各数据线施加极性信号时，沿扫描线延伸方向排列的各数据线被施加一以“+，-，-，+”为最小重复单元的电极性信号。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，沿所述多条扫描线延伸的方向，依序将每二相邻的像素定义为一像素组，与每一像素组内的各子像素连接的多条所述数据线依序包括一第一数据线、一第一对数据线组、一第二对数据线组、一第三对数据线组及一第二数据线，该第一数据线与相邻的第二色子像素连接，该第一对数据线组分别与相邻的第三色子像素及第一色子像素连接，该第二对数据线组分别与相邻的第四色子像素及第三色子像素连接，该第三对数据线组分别与相邻的第二色子像素及第四色子像素连接，该第二数据线与相邻的第一色子像素连接。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，相邻两组扫描线的驱动信号相位相差半周期。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，对各组扫描线的扫描频率为120Hz。

10.如权利要求1至9任一所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该第一色子像素为一红色子像素，该第二色子像素为一绿色子像素，该第三色子像素为一蓝色子像素，该第四色子像素为一白色子像素。