[发明专利]激光加工装置

说明书

激光加工装置。具有：被加工物保持单元；和激光光线照射单元，激光光线照射单元包括：脉冲激光光线振荡单元；聚光器；和扫描镜，具有加工深度检测单元，其包括：检查光源，其向扫描镜发出具有规定的波段的检查光；色差透镜，其配设于检查光源与扫描镜之间，对应于检查光的波长而分光，且使检查光的束散角按照每种波长略微变更；分束器，其配设于检查光源与色差透镜之间，将对被加工物照射的检查光的反射光分支到反射光检测路径上；波长选择单元，其配设于反射光检测路径，使焦点与被加工物一致的波长的反射光通过；波长检测单元，其检测在波长选择单元中通过的反射光的波长；和控制单元，其根据由波长检测单元检测的波长求出被加工物的加工深度。

技术领域

本发明涉及对保持于卡盘台的半导体晶片等的被加工物实施激光加工的激光加工装置。

背景技术

在半导体器件制造工序中，在呈大致圆板形状的半导体晶片的表面被呈格子状排列的分割预定线而划分出多个区域，在该划分出的区域上形成IC、LSI等的器件。而且，沿着切割线切断半导体晶片，从而分割形成有器件的区域，制造出各个半导体器件。

最近，为了提升IC、LSI等的半导体芯片的处理能力，通过功能层而形成半导体器件的方式的半导体晶片得以实用化，其中该功能层在硅等的基板的表面层积有由SiOF、BSG(SiOB)等的无机物类的膜或聚酰亚胺类、聚对二甲苯类等的聚合物膜即有机物类的膜构成的低介电常数绝缘体被膜(Low-k膜)。

这种沿着半导体晶片的切割线进行的分割通常是通过被称作切割器的切削装置进行的。该切削装置具有保持作为被加工物的半导体晶片的卡盘台、用与切削保持于该卡盘台的半导体晶片的切削单元、以及用于使卡盘台与切削单元相对移动的移动单元。切削单元包括进行高速旋转的旋转主轴和安装于该主轴的切削刀。切削刀由圆盘状的基台和安装于该基台的侧面外周部的环状的切割刃构成，切割刃是通过电铸来固定例如粒径为3μm左右的金刚石磨粒而固定形成的。

然而，上述Low-k膜难以通过切削刀进行切削。即，Low-k膜如云母般非常脆弱，因而如果通过切削刀沿着分割预定线切削，则Low-k膜会剥离，存在该剥离到达电路而对器件带来致命损伤的问题。

此外，在分割预定线上的功能层上配设有用于测试器件功能的被称作试验元件组(TEG)的测试用的金属膜的半导体晶片中，如果通过切削刀切削则会产生飞边，使得器件的品质降低，并且还需要频繁实施切削刀的修整，存在生产性降低的问题。

为了消除上述问题，下述专利文献1公开了一种晶片的分割方法，沿着形成于半导体晶片的分割预定线照射激光光线，从而在由Low-k膜构成的层积体上形成激光加工槽并断开功能层，将切削刀定位于断开了该功能层后的激光加工槽上并使切削刀与半导体晶片相对移动，从而沿着分割预定线切断半导体晶片。

然而，在分割预定线上的功能层上配设有用于测试器件的功能的被称作试验元件组(TEG)的测试用的金属膜的半导体晶片中，存在无法沿着分割预定线形成均匀深度的激光加工槽的问题。为了消除该问题，下述专利文献2公开了一种技术，检测配设有测试用的金属膜的区域，制作坐标并存储，根据所存储的坐标调整激光光线的输出，同时沿着分割预定线照射激光光线。

专利文献1日本特开2005-64231号公报

专利文献2日本特开2005-118832号公报

并且，上述专利文献2所公开的技术存在检测配设有测试用的金属膜的区域并制作坐标的过程需要相当长的时间而生产性较差的问题，并且不易根据坐标而时机良好地控制激光光线的输出。

发明内容

本发明就是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于，提供一种在不必控制激光光线的输出的情况下能够形成均匀深度的激光加工槽的激光加工装置。