[发明专利]一种智能无线机柜火灾监控系统

权利要求书

1.一种智能无线机柜火灾监控系统，其特征是，包括监控主机和若干与监控主机相连的机柜监控终端，所述机柜监控终端包括火灾探测器、火灾控制器和自动灭火装置，所述的火灾探测器、火灾控制器和自动灭火装置设置在机柜内部，所述监控主机设置在机柜所在的监控室内；

所述火灾探测器包括无线温度传感器、无线烟雾传感器和无线火焰传感器，所述的无线温度传感器、无线烟雾传感器和无线火焰传感器分别通过2.4G无线通讯方式与火灾控制器相连并将探测到机柜内的温度信息、烟雾信息和火焰信息发送给火灾控制器，所述火灾控制器将接收到的数据与设定的参数进行相比进行判断是否发生火灾，如果发生火灾则通过2.4G无线通讯方式将灭火指令发送给自动灭火装置，所述自动灭火装置接收到灭火指令后进行灭火操作；同时火灾控制器将接收到的数据信息进行存储并通过GPRS无线通讯方式发送给监控主机，所述监控主机用以进行参数设定、数据显示、预警分析、灭火控制、历史查询和决策支持。

2.根据权利要求1所述的一种智能无线机柜火灾监控系统，其特征是，所述机柜监控终端还包括与火灾控制器相连的ZigBee模块，所有的机柜监控终端之间通过ZigBee通讯方式相连。

3.根据权利要求1所述的一种智能无线机柜火灾监控系统，其特征是，所述自动灭火装置包括S型气溶胶自动灭火装置。

4.根据权利要求1所述的一种智能无线机柜火灾监控系统，其特征是，所述火灾控制器包括处理器以及分别与处理器相连的电源模块、开关量输入电路、模拟量输入电路、开关量输出电路、2.4G无线通讯模块、GPRS模块、ZigBee模块、显示屏、RS485接口、RS232接口、USB接口、按键电路和Flash存储器；所述处理器包括4个STM32处理器，所述的4个STM32处理器通过总线相连。

5.根据权利要求4所述的一种智能无线机柜火灾监控系统，其特征是，所述2.4G无线通讯模块包括nRF24L01+芯片。

6.根据权利要求4所述的一种智能无线机柜火灾监控系统，其特征是，所述电源模块包括12V转5V降压模块、5V转3.3V降压模块和12V转24V升压模块；

所述12V转5V降压模块包括LM2596-5整流芯片U5、SMD185L保险丝F1、电容C33、电容C34、电感L19、稳压二极管D8和静电二极管E14，所述LM2596-5整流芯片U5的Vin端通过SMD185L保险丝F1与电源输入端子V_IN1相连，LM2596-5整流芯片U5的Vout端串联电感L19后与5V电源端相连，所述稳压二极管D8的负极分别与LM2596-5整流芯片U5的Vout端和电感L19的一端相连，稳压二极管D8的正极接地，所述电容C33的一端与LM2596-5整流芯片U5的Vin端相连，电容C33的另一端接地，所述电容C3444的一端与电感L19的另一端和LM2596-5整流芯片U5的FB端相连，电容C34的另一端接地，所述静电二极管E14的负极与LM2596-5整流芯片U5的Vin端相连，静电二极管E14的正极接地；

所述5V转3.3V降压模块包括LM1117-3.3整流芯片U6、电容C35、电容C36、电容C37和电容C38，所述LM1117-3.3整流芯片U6的IN端与5V电源端相连，LM1117-3.3整流芯片U6的OUT端与3.3V电源端相连，LM1117-3.3整流芯片U6的GND端接地，所述电容C35和电容C37并联设置在LM1117-3.3整流芯片U6的IN端和GND端之间，所述电容C36和电容C38并联设置在LM1117-3.3整流芯片U6的OUT端和GND端之间；

所述12V转24V升压模块包括GS3663升压芯片U2、CT817光电耦合器OP1、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电容C10、电容C11、电容C12、电容C13、电感L4、稳压二极管D1和场效应管M1，所述CT817光电耦合器OP1的一个输入端与处理器的控制端相连，CT817光电耦合器OP1的另一个输入端串联电阻R4后与3.3V电源端相连，CT817光电耦合器OP1的一个输出端经过电阻R3接地，CT817光电耦合器OP1的另一个输出端与场效应管M1的栅极相连；所述场效应管M1的源极与电源输入端子V_IN1相连，场效应管M1的漏极与GS3663升压芯片U2的VIN端相连，场效应管M1的源极与栅极之间并联有电阻R5；所述GS3663升压芯片U2的SW端串联稳压二极管D1后与24V电源端相连，GS3663升压芯片U2的FB端串联电阻R6后与24V电源端相连，GS3663升压芯片U2的FB端串联电阻R7后接地，GS3663升压芯片U2的GND端接地,GS3663升压芯片U2的EN端串联电阻R8后与电源输入端子V_IN1相连，所述电感L4并联在GS3663升压芯片U2的SW端与VIN端之间，所述电容C12和电容C13并联在GS3663升压芯片U2的VIN端与GND端之间，所述电容C10和电容C11并联在电阻R6和电阻R7的两端；所述场效应管M1采用型号为AO3407A的P沟道MOS管。