[发明专利]一种多层薄膜电容器的无掩膜制备方法

权利要求书

1.一种多层薄膜电容器的无掩膜制备方法，其特征在于：经过底电极薄膜、介质薄膜、电极薄膜和多层薄膜电容器的制备工序，主要工艺操作为：

①底电极薄膜制备：配制纳米金属粉体浆料或采用溶胶凝胶法制备非金属导电氧化物胶体，并均匀涂覆在基片上，然后通过可控温度的红外光斑对基片定向扫描加热，从而使浆料或胶体在干燥、挥发过程中发生定向收缩并形成初始电极图案，最后采用激光光斑加热，使金属电极材料发生表面粘结为金属薄膜或使非金属导电氧化物结晶为非金属导电氧化物的底电极薄膜，并形成清晰的电极图案；

②介质薄膜制备：采用溶胶凝胶法或溅射法制备介质薄膜，即在上述步骤①得到的底电极薄膜的基础上，通过溶胶凝胶匀胶方式制备介质薄膜，或以陶瓷靶材或粉末靶材采用磁控溅射方式制备介质薄膜；

③电极薄膜制备：在步骤②得到的介质薄膜的基础上，按上述步骤①底电极薄膜制备方式配制纳米金属粉体浆料或采用溶胶凝胶法制备非金属导电氧化物胶体，并均匀涂覆在介质薄膜上制备第二层电极薄膜，并使定向扫描加热的第二层电极薄膜与底电极薄膜形成错层；

④多层薄膜制备：重复上述②-③的方法交叉制成具有叉指结构的多层薄膜电容器；

所述纳米金属粉体浆料的组分质量比为：金属粉:环氧树脂=5～7:3～5；

所述的溶胶凝胶法是采用醋酸盐或无机盐与有机胶体物质配制而成的溶胶，再通过均胶方式制备薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种多层薄膜电容器的无掩膜制备方法，其特征在于：步骤①所述纳米金属粉体浆料是以纳米金属粉体分散于有机胶中；所述纳米金属粉体包括Cu、Ni、Ag、Au、Al、Pd或In中的一种单质金属粉，纳米金属粉的平均粒径范围为20～500nm。

3.根据权利要求1所述的一种多层薄膜电容器的无掩膜制备方法，其特征在于：步骤①所述的非金属导电氧化物是指ITO或AZO材料中的一种或两种混合物；所述的基片的材料包括氧化铝、石英、硅片或氧化锆中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种多层薄膜电容器的无掩膜制备方法，其特征在于：步骤①所述的金属薄膜或非金属导电氧化物薄膜的厚度范围为100nm～2μm。

5.根据权利要求1所述的一种多层薄膜电容器的无掩膜制备方法，其特征在于：所述的红外光斑加热温度范围为50～300℃。

6.根据权利要求1所述的一种多层薄膜电容器的无掩膜制备方法，其特征在于：所述的激光光斑加热温度范围为200～800℃。

7.根据权利要求1所述的一种多层薄膜电容器的无掩膜制备方法，其特征在于：所述的红外定向扫描加热和激光定向加热，以条状矩阵进行，或是按某一形状和方向采用步进扫描进行。

8.根据权利要求1所述的一种多层薄膜电容器的无掩膜制备方法，其特征在于：所述的介质薄膜的材料为Y5V、X7R、X8R瓷粉中的一种。

9.根据权利要求1所述的一种多层薄膜电容器的无掩膜制备方法，其特征在于：所述的介质薄膜的厚度范围是100nm～3μm。