[发明专利]一种SF6高压断路器状态评估方法及装置在审
申请号: | 201510433043.3 | 申请日: | 2015-07-22 |
公开(公告)号: | CN105334453A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 黄荣辉;林火华;胡子珩;李林发;姚森敬;章彬;邓世聪;黄炜昭;吕启深;张林;李勋;刘顺桂;卢文华;李穆;向冬冬;施磊;沈星 | 申请(专利权)人: | 深圳供电局有限公司;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 |
主分类号: | G01R31/327 | 分类号: | G01R31/327;G01R31/12;G01M13/00 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;钟冬梅 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 sf sub 高压 断路器 状态 评估 方法 装置 | ||
1.一种六氟化硫SF6高压断路器状态评估方法,其特征在于,包括:
根据SF6高压断路器关键特征量,分别对各SF6高压断路器进行基本性能、设备重要度、机械性能、电气性能、绝缘性能、和附件性能评估;
根据各SF6高压断路器基本性能和设备重要度的评估结果,分别计算对应的各SF6高压断路器的综合性能修正因子;
根据各SF6高压断路器的综合性能修正因子,分别对各SF6高压断路器对应的机械性能、电气性能、绝缘性能和附件性能的评估结果进行修正,获得各SF6高压断路器总体基准态指标;
根据各SF6高压断路器的总体基准态指标,对各SF6高压断路器排序,并依据排序的结果确定需要重点关注的SF6高压断路器及对应的检修策略。
2.如权利要求1所述的SF6高压断路器状态评估方法,其特征在于,所述SF6高压断路器关键特征量包括但不限于:运行年限、环境因素、在线监测装置、故障缺陷因素、运行因素、时间速度特性曲线、分合闸线圈电流波形、分合闸线圈电压、储能电机电流、开断电流、开断次数、静态回路电阻、动态回路电阻、红外测温、局部放电、SF6气体密度、湿度、绝缘电阻、均压电容器、合闸电阻;
则根据SF6高压断路器关键特征量,分别对各SF6高压断路器进行基本性能、设备重要度进行评估,包括:
根据所述SF6高压断路器关键特征量中的运行年限、环境因素、在线监测装置、故障缺陷因素、运行因素对SF6高压断路器的基本性能进行评估;
根据所述SF6高压断路器关键特征量中的到达难易程度、断路器遮断容量、变电站夏季负载率、变电站重要等级、变电站断路器数量、电压等级、最大负荷、本体更换所需时间、操动机构更换所需时间、并联电容更换所需时间、合闸电阻更换所需时间对SF6高压断路器在电网中的重要度进行评估。
3.如权利要求2所述的SF6高压断路器状态评估方法,其特征在于,所述根据各SF6高压断路器基本性能和设备重要度的评估结果,分别计算对应的各SF6高压断路器的综合性能修正因子,包括:
设定为SF6高压断路器的基本性能,为设备重要度;则SF6高压断路器A在坐标系中的坐标为,其中,SF6高压断路器A的修正因子为该点到参考线的距离,归一化之后为;其中所述参考线的方程式为:。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳供电局有限公司;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司,未经深圳供电局有限公司;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510433043.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法