[发明专利]存储器件

说明书

一种存储器件，包括：存储体，包括多个字线；以及字线控制器，在激活操作期间，所述字线控制器能够当激活多个字线之中的与输入地址相对应的第二字线时激活多个字线之中的在之前的写入操作期间被访问的第一字线。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年12月19日提交的申请号为10-2014-0184129的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种存储器件。

背景技术

当从外部源(例如系统或其控制器)请求读取和写入数据时，存储器件执行读取和写入操作。储存数据的基本单元是存储单元。在存储器件中，一个存储单元包括一个储存1比特数据的电容器。在写入操作中，通过对电容充电和放电来将数据储存在存储单元中。在读取操作中，储存在存储单元中的数据的极性(例如“0”或“1”)由储存在电容中的电荷量来确定。

“写入恢复时间(tWR)”是存储器件常用的性能度量。写入恢复时间是从写入操作被执行以及数据被储存在存储器件的存储单元中的时刻到储存的数据不再被影响(即使是预充电操作)的时刻的时间段。即，写入恢复时间(tWR)是从给定写入命令时开始正确地将数据储存在存储器件的存储单元中所必需的最少的时间。

写入恢复时间对写入操作速度有影响。即，随着写入恢复时间变得更长，存储器件的写入操作速度可以变慢，而随着写入恢复时间减短，存储器件的写入操作速度可以增加。因此，在高速性能与保证充足的写入恢复时间以稳定写入操作之间经常存在折衷。对于高速地操作半导体存储器件且同时阻止由于写入恢复时间的缺少而引起的错误的出现的方法已经作了各种研究。

发明内容

各种实施例针对提供一种存储器件，所述存储器件能够通过在其中另一个字线被激活的时段中将在之前的写入操作期间已经被访问的字线激活并预充电来减少由于写入恢复时间的缺少而引起的错误。

而且，各种实施例针对提供一种存储器件，所述存储器件能够通过激活一个存储体中两个或更多的字线来有效地操作其存储体。

在一个实施例中，存储器件包括：存储体，包括多个字线；以及字线控制器，在激活操作期间，所述字线控制器能够当激活多个字线之中的与输入地址相对应的第二字线时激活多个字线之中的在之前的写入操作期间被访问的第一字线。

在一个实施例中，存储器件包括：第一存储体，包括第一存储块和第二存储块，所述第一存储块和第二存储块包括多个字线；第二存储体，包括第三存储块和第四存储块，所述第三存储块和第四存储块包括多个字线；体选择单元，能够选择第一存储体和第二存储体的对应于体地址的一个存储体；第一字线控制器，在激活操作期间，当第一存储体被选中时，所述第一字线控制器能够当激活第一存储体中的多个字线之中的与输入地址相对应的第二字线时激活第一存储体中的多个字线之中的在之前的写入操作期间被访问的第一字线；以及第二字线控制器，在激活操作期间，当第二存储体被选中时，所述第二字线控制器能够当激活第二存储体中的多个字线之中与输入地址相对应的第四字线时激活第二存储体中的多个字线之中在之前的写入操作期间第二存储体中被访问的第三字线。

在一个实施例中，存储器件包括：存储体，包括多个存储块，所述存储块包括多个字线；体选择单元，能够选择多个存储体中的与体地址相对应的存储体；以及多个字线控制器，在激活操作期间，当多个存储体中的对应的存储体被选中时，所述多个字线控制器能够当激活对应的存储体中的多个字线之中的与输入地址相对应的第二字线时激活多个字线之中的在之前的写入操作期间被访问的第一字线。

附图说明

图1是示出根据本发明的一个实施例的存储器件的配置的框图；

图2A和2B是解释图1中示出的存储器件的操作的视图；

图3是图示出根据本发明的一个实施例的存储器件的配置的框图；