[发明专利]氮化镓基低漏电流固支梁开关或非门的RS触发器

权利要求书

1.一种氮化镓基低漏电流固支梁开关或非门的RS触发器，其特征在于该RS触发器由第一固支梁栅NMOS管(1)、第二固支梁栅NMOS管(2)组成的第二或非门(G2)，第三固支梁栅NMOS管(3)、第四固支梁栅NMOS管(4)组成的第一或非门(G1)、每一个固支梁栅NMOS管分别由栅极(8)、源极和漏极构成，其中源极和漏极由金属和重掺杂N区形成欧姆接触构成，栅极由金属和沟道区形成肖特基接触构成，该RS触发器的四个固支梁栅NMOS管制作在氮化镓衬底(13)上，在栅极(8)上方悬浮着固支梁开关(7)，固支梁开关(7)的两端分别固定在两个锚区(9)上，输入的数字信号加载在固支梁开关(7)上，该固支梁开关(7)由钛/金/钛组成，在固支梁开关(7)与衬底(13)之间存在下拉电极(12)，下拉电极(12)由氮化硅材料覆盖；其中第一或非门(G1)的输出端通过导线与第二或非门(G2)的一个输入端相接，同样第二或非门(G2)的输出端也通过导线与第一或非门(G1)的一个输入端相连接，形成完全对称的结构；该RS触发器有两个输入端分别是S_D和R_D，以及两个输出端Q和Q'，S_D和R_D分别是两个或非门中没有与输出端相连接的那个输入端，Q和Q'则仍然是由两个或非门的输出端直接构成。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基低漏电流固支梁开关或非门的RS触发器，其特征在于组成该RS触发器中的每一个或非门的两个固支梁栅NMOS管的源极连接在一起共同接地，两个固支梁栅NMOS管的固支梁开关(7)都是数字信号的输入端，两个固支梁栅NMOS管的漏极连接在一起通过负载电阻(5)与电源电压相接，数字信号在两个固支梁栅NMOS管的固支梁开关(7)上输入，在两个MESFET的漏极与其共同的负载电阻(5)之间输出。

3.根据权利要求2所述的氮化镓基低漏电流固支梁开关或非门的RS触发器，其特征在于所述的负载电阻(5)的阻值设置为：当其中任意一个固支梁栅NMOS管导通时，相比于导通的固支梁栅NMOS管，该负载电阻(5)的阻值足够大可使得输出为低电平，当两个固支梁栅NMOS管都不能导通时，相比于截止的固支梁栅NMOS管，该负载电阻(5)的阻值足够小可使得输出为高电平。

4.根据权利要求1所述的氮化镓基低漏电流固支梁开关或非门的RS触发器，其特征在于所述的固支梁开关(7)是悬浮在其栅极(8)之上的，栅极(8)与衬底(13)之间形成了肖特基接触，在栅极(8)下方的衬底(13)中形成耗尽层，该固支梁开关(7)的下拉电压设计的与固支梁栅NMOS管的阈值电压相等，当加载在固支梁开关(7)与下拉电极(12)之间的电压大于固支梁栅NMOS管的阈值电压时，固支梁开关(7)下拉与栅极(8)紧贴,固支梁栅NMOS管的耗尽区厚度减小并导通；当固支梁开关(7)与下拉电极(12)之间所加电压小于固支梁栅NMOS管的阈值电压时，固支梁开关(7)就不能下拉，其栅极(8)上就不存在电压，所以该固支梁栅NMOS管就不能导通，栅极漏电流就不会存在，这样就减小了RS触发器的功耗。