[发明专利]片上毫米波发射机及其校准方法和片上毫米波功率传感器

权利要求书

1.一种片上毫米波发射机，包括

-可耦合到振荡器的至少一个发射路径，所述至少一个发射路径提供发射功率；

-可耦合到所述振荡器并且包括片上功率传感器的校准路径，所述片上功率传感器被配置为测量通过所述至少一个发射路径发射的发射功率的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的片上毫米波发射机，其中所述片上功率传感器通过定向耦合器或功率分配器耦合到所述校准路径。

3.根据权利要求2所述的毫米波发射机，其中所述校准路径由天线元件或片上终端终止。

4.根据权利要求1所述的毫米波发射机，其中所述至少一个发射路径的个别发射路径和/或校准路径包括放大器和/或片上功率估计器。

5.根据权利要求1所述的毫米波发射机，其中所述至少一个发射路径包括放大器和/或片上功率估计器。

6.根据权利要求1所述的毫米波发射机，其中所述振荡器是压控振荡器。

7.根据权利要求1所述的毫米波发射机，其中所述至少一个发射路径中的选定的发射路径包括用于选择性地将所述至少一个发射路径的选定的发射路径耦合到所述片上功率传感器的开关。

8.根据权利要求1所述的毫米波发射机，其中所述片上功率传感器被实现为层。

9.根据权利要求8所述的毫米波发射机，其中所述片上功率传感器被实现为在芯片内的层上形成的电阻器。

10.根据权利要求9所述的毫米波发射机，其中所述层是用于实现芯片内的多个晶体管的至少一个基极接触层的层。

11.根据权利要求9所述的毫米波发射机，其中所述层是用于连接芯片内的晶体管的基极区的硅化多晶硅层。

12.根据权利要求9所述的毫米波发射机，其中所述电阻是温度相关电阻器。

13.根据权利要求1所述的毫米波发射机，其中所述振荡器被布置在芯片上。

14.一种校准片上毫米波发射机的方法，所述方法包括：

-在所述毫米波发射机的至少一个发射路径内提供发射功率；

-指引所提供的发射功率的至少一部分到校准路径内的片上功率传感器；

-在片上功率传感器处测量所提供的发射功率的所述部分。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：

-响应于所测量的部分校准在至少一个发射路径和/或校准路径内的功率估计器。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述指引是这样使得存在其中指引到功率传感器的所提供的发射功率的所述部分消失的时间周期。

17.一种可耦合到毫米波发射机的至少一个发射路径的片上功率传感器，所述片上功率传感器包括：

-在芯片的层内形成的电阻器，其中所述电阻器的电阻是温度相关的；

-耦合到所述电阻器的四分之一波长元件；以及

-经由所述四分之一波长元件耦合到所述电阻器并且与所述电阻器并联的电容器，

其中所述片上功率传感器被配置为测量通过所述毫米波发射机的至少一个发射路径发射的发射功率的至少一部分。

18.根据权利要求17所述的片上功率传感器，其中所述电阻器由在芯片的层内沉积的材料形成。

19.根据权利要求18所述的片上功率传感器，其中所述层包括在芯片内的多个晶体管的至少一个基极触点。