[发明专利]一种陶瓷基覆铜板的制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷基覆铜板的制造方法，其特征在于包括以下工序：

(1)陶瓷基板清洗；

(2)陶瓷基板的离子束清洗活化；

(3)陶瓷基板的金属离子注入；

(4)陶瓷基板的真空镀膜；

(5)电镀增厚铜膜。

2.根据权利要求1所述的陶瓷基覆铜板的制造方法，其特征在于工序(2)中所述的离子束清洗活化为采用气体离子源对陶瓷基板表面进行离子束清洗活化，工作气体可为Ar、N₂、O₂、其它惰性气体或它们的混合气，真空度为0.01～10Pa，清洗活化的工艺温度为常温～400℃。

3.根据权利要求1所述的陶瓷基覆铜板的制造方法，其特征在于工序(3)中所述的金属离子注入可为元素周期表中的Ag、Au、Al、Be、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mo、Mn、Nb、Ni、Pt、Ta、W、Zr等金属离子中的一种或几种，注入时真空度优于0.1Pa，加速电压5～100kV,注入剂量1.0×10¹²～1.0×10¹⁸ion/cm²，工艺温度为常温～400℃。

4.根据权利要求1所述的陶瓷基覆铜板的制造方法，其特征在于工序(4)中所述的真空镀膜为真空阴极弧沉积方式。采用与金属离子注入的同种材料或其它材料进行金属膜层沉积，膜层可以是元素周期表中的Ag、Au、Al、Be、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mo、Mn、Nb、Ni、Pt、Ta、W、Zr等金属及它们的二元、三元和四元合金。

膜层体系根据产品的要求，可采用两种膜系：①金属沉积层/铜沉积层；②金属氧化物沉积层/金属沉积层/铜沉积层，金属沉积层厚度为5～2000nm；金属氧化物沉积层厚度为5～2000nm；铜沉积层厚度为5～2000nm，真空镀膜的工艺温度为常温～400℃。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的陶瓷基覆铜板，其中，所述的陶瓷基板材料为氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、氮化硅陶瓷、碳化硅陶瓷、氮化硼陶瓷、二氧化钛陶瓷、氧化锆陶瓷、钛酸钙陶瓷、钛酸钡陶瓷、莫来石陶瓷、滑石瓷或玻璃陶瓷。