[发明专利]混合类放大器有效
| 申请号： | 201510333886.6 | 申请日： | 2008-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104953965B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 里卡德·赫尔贝里 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/19 | 分类号： | H03F3/19;H03F3/217;H03F1/02;H03F1/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 余婧娜 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 混合 放大器 | ||
1.一种功率放大器，包括至少一个组件，所述至少一个组件配置用于在一个或多个谐波频率产生阻抗，以使得所述功率放大器在低输出幅度范围内操作于C类模式，而在高输出幅度范围内操作于F类或反相F类模式，
其中所述阻抗被配置为减小在所述一个或多个谐波频率处的电压摆动。
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述谐波频率是奇次谐波频率。
3.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述谐波频率是偶次谐波频率。
4.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述C类模式是通过在功率放大器的晶体管处具有窄输出电流脉冲来定义的。
5.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述F类模式是通过在功率放大器的晶体管处具有方形输出电压波形来定义的。
6.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述反相F类模式是通过在功率放大器的晶体管处具有方形输出电流波形来定义的。
7.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述阻抗包括基频的一个或多个谐波处的有限阻抗，以及由于与负载并联和/或串联的一个或多个谐振器而导致所述有限阻抗减小所述功率放大器的晶体管在所述谐波处看到的阻抗。
8.根据权利要求7所述的功率放大器，其中，所述谐波是奇次谐波。
9.根据权利要求7所述的功率放大器，其中，所述谐波是偶次谐波。
10.根据权利要求1所述的功率放大器，其中所述功率放大器包括：
晶体管，配置用于产生输出；以及
输出电路，连接到所述晶体管以接收所述输出，所述输出电路包括所述阻抗。
11.根据权利要求10所述的功率放大器，其中，所述输出电路包括：
与阻抗串联连接在所述晶体管的发射极与集电极之间或在所述晶体管的源极与漏极之间的、用于阻止基频的电路。
12.根据权利要求11所述的功率放大器，其中，所述输出电路包括：
第一串联谐振器，在两倍基频处谐振，并且与电容器并联连接在所述晶体管的发射极与集电极之间或在所述晶体管的源极与漏极之间的。
13.根据权利要求11所述的功率放大器，其中，所述用于阻止基频的电路是并联谐振器。
14.根据权利要求11所述的功率放大器，其中，所述阻抗在一个或若干谐波处主要是电阻性的。
15.根据权利要求11所述的功率放大器，其中，所述阻抗的值与针对奇次谐波的负载电阻的值近似相等。
16.根据权利要求13所述的功率放大器，其中，所述并联谐振器配置用于阻止所述基频。
17.根据权利要求10所述的功率放大器，其中，所述晶体管的栅极电压包括动态栅极偏置电压。
18.根据权利要求10所述的功率放大器，其中，所述晶体管的栅极电压是脉冲宽度调制波形。
19.一种使用功率放大器的方法，包括：
在一个或多个谐波频率产生阻抗，以使得功率放大器在低输出幅度范围内操作于C类模式，而在高输出幅度范围内操作于F类或反相F类模式，
其中所述阻抗被配置为减小在所述一个或多个谐波频率处的电压摆动。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述谐波频率是奇次谐波频率。
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