[发明专利]一种阵列基板、显示面板、显示装置以及制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上顺序形成多个间隔设置且以阵列方式排列的薄膜晶体管、第一钝化层、多条触控信号线和像素电极层；

其中，所述像素电极层形成多个间隔设置且以阵列方式排列的像素电极，所述像素电极层与所述触控信号线同层绝缘设置；

所述像素电极层还包括：

多条相互绝缘的保护线，每条保护线覆盖每条触控信号线的输出端；

所述每条保护线与所述每条触控信号线的输出端直接接触。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成第一钝化层之后，形成多条触控信号线之前，还包括：

在所述第一钝化层中形成像素电极接触孔，以使所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接；

在形成像素电极层之后，还包括：

在所述触控信号线和所述像素电极所在膜层上方形成第二钝化层；

在所述第二钝化层中形成公共电极接触孔；

在所述第二钝化层上方形成多个间隔设置且以阵列方式排列的公共电极块，所述公共电极接触孔使每条触控信号线与其对应的公共电极块电连接，并与其他公共电极块电绝缘。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成第一钝化层之后，形成多条触控信号线之前，还包括：

在所述第一钝化层上形成多个间隔设置且以阵列方式排列的公共电极块；

在所述公共电极块所在膜层上方形成第二钝化层；

同时形成具有不同深度的公共电极接触孔和像素电极接触孔；

其中，所述公共电极接触孔贯穿所述第二钝化层，以使所述触控信号线与其对应的公共电极块电连接，并与其他公共电极块电绝缘；所述像素电极接触孔贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层，以使所述像素电极与对应的薄膜晶体管的漏极电连接。

4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层的厚度范围为

5.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述第二钝化层的厚度范围为

6.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层和/或第二钝化层的材料为氮化硅和氧化硅中的任意一种或一种以上。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成多个间隔设置且以阵列方式排列的薄膜晶体管包括：

在所述衬底基板上顺序形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成多个间隔设置且以阵列方式排列的薄膜晶体管包括：

在所述衬底基板上顺序形成半导体层、源极、漏极、栅极绝缘层和栅极。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成多个间隔设置且以阵列方式排列的薄膜晶体管的同时，还包括：形成多条数据线和多条扫描线，所述触控信号线在所述衬底基板上的投影位于所述数据线或扫描线在所述衬底基板上的投影内。

10.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，相邻公共电极块的间隙在所述衬底基板上的投影位于相邻像素电极的间隙在所述衬底基板上的投影内；所述触控信号线在所述衬底基板上的投影内覆盖所述相邻公共电极块间隙。

11.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，相邻公共电极块的间隙在所述衬底基板上的投影位于所述像素电极在所述衬底基板上的投影内。