[发明专利]发光器件

说明书

本发明涉及一种发光器件。公开了一种发光器件，包括包含第一导电半导体层、第一导电半导体层下的有源层和有源层下的第二导电半导体层的发光结构，与第一导电半导体层电连接的第一电极，发光结构下的镜层，镜层和发光结构之间的窗口半导体层，镜层下的反射层，位于反射层和窗口半导体层之间并且与第二导电半导体层接触的导电接触层，以及反射层下的导电支撑衬底。窗口半导体层包括掺杂有较高掺杂浓度的C掺杂的P基半导体。导电接触层包括与具有比窗口半导体层的厚度薄的厚度的镜层的材料不同的材料。

技术领域

本发明涉及一种发光器件、发光器件封装和照明单元。

背景技术

发光二极管(LED)已经广泛用作一种发光器件。LED由于化合物半导体的特性，转换以红外光、可见光或紫外光形式的电信号。

随着发光器件的光效率增加，发光器件已经应用于各种领域，诸如显示设备和照明设备。

发明内容

实施例提供一种能降低工作电压并且提高光速的发光器件、发光器件封装和照明单元。

实施例提供能提高光速并且确保可靠性的发光器件、发光器件封装和照明单元。

实施例提供具有掺杂有碳(C)的磷化镓(GaP)基半导体的发光器件。

实施例提供能减少与掺杂有碳(C)的GaP基半导体接触的导电接触层中的光吸收的发光器件。

实施例提供能增加与掺杂有碳(C)的GaP基半导体接触的导电接触层的电流接触面积的发光器件。

实施例提供能通过在掺杂有C的GaP基半导体下提供的分布布拉格反射器(DBR)层下，提供全向反射器(ODR)，提高光反射效率的发光器件。

实施例提供能通过与掺杂有C的GaP基半导体的底表面接触的导电接触层，提高电流扩展的发光器件。

实施例提供能提高光提取效率的发光器件、发光器件封装和照明单元。

根据实施例，提供一种发光器件，包括包含第一导电半导体层、第一导电半导体层下的有源层和有源层下的第二导电半导体层的发光结构，发光结构下的窗口半导体层，窗口半导体层下的镜层，镜层下的反射层，布置在反射层下并且位于反射层的外围部并且具有与镜层接触的顶表面的接合层并且接合层下的支撑衬底。

根据实施例，提供发光器件，包括包含第一导电半导体层、第一导电半导体层下的有源层和有源层下的第二导电半导体层的发光结构，与第一导电半导体层电连接的第一电极，发光结构下的镜层，镜层和发光结构之间的窗口半导体层，镜层下的反射层、布置在反射层和窗口半导体层之间并且与第二导电半导体层接触的导电接触层，以及反射层下、具有导电特性的支撑衬底。窗口半导体层包括掺杂有碳(C)的磷(P)基半导体，窗口半导体层具有高于第二导电半导体层的掺杂浓度的掺杂浓度，以及导电接触层包括不同于镜层的材料的材料，并且具有薄于窗口半导体层的厚度的厚度。

根据该实施例，提供一种发光器件，包括第一导电半导体层、第一导电半导体层下的有源层和有源层下的第二导电半导体层、第一导电半导体层上的第一电极、第一电极上的电极焊盘、发光结构下的镜层、镜层和发光结构之间的窗口半导体层、镜层下的反射层、布置在反射层和窗口半导体层之间并且与第二导电半导体层接触的导电接触层以及布置在反射层下并且具有导电特性的支撑衬底。窗口半导体层包括掺杂有碳(C)的磷(P)基半导体，并且具有高于第二导电半导体层的掺杂浓度的掺杂浓度，导电接触层包括不同于镜层的材料的材料，并且包括相互分开的多个接触部，并且与电极焊盘和导电接触层之间的距离成比例地增加导电接触层和电极焊盘之间的接触面积。